向IDM進(jìn)軍 中國存儲器產(chǎn)業(yè)需勇往直前
存儲器尤如一座大山,擺在中國半導體業(yè)面前。不過(guò)既然已經(jīng)決定發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè),就沒(méi)有退縮的余地。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201706/359966.htm中國半導體業(yè)發(fā)展有其特殊性,它依國家實(shí)力作為后盾,盡管西方陣營(yíng)在“唱衰”中國存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。然而不可否認的是,他們也在擔心中國存儲器業(yè)的成功。
現階段中國存儲器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)積聚了三股力量,包括長(cháng)江存儲,晉華及王寧國主導的合肥長(cháng)鑫,它們各有特色,采用不同的策略。不過(guò)至于哪家能取得成功,要看2018或2019年的結果,目前尚不好預言。
中國存儲器業(yè)的初級目標
按中國臺灣地區南亞科總裁李培瑛的說(shuō)法,他認為在三到五年內,大陸不會(huì )對DRAM產(chǎn)業(yè)形成威脅。預期全球DRAM產(chǎn)業(yè)將維持“三大一中二小”的局面。三大指三星、SK海力士、美光;一中為南亞科;二小為華邦電以及力晶。

事實(shí)上,這樣的論調具有一定的積極意義,可以促使中國半導體業(yè)更加努力與精心,打破這個(gè)“魔咒“。
觀(guān)察集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)2017年2月的季度數據,到2022年時(shí),大陸存儲器業(yè)已經(jīng)實(shí)現量產(chǎn),可以初試牛刀,一旦有廠(chǎng)商的季度銷(xiāo)售額超過(guò)4億美元,則意味著(zhù)大陸可以跨進(jìn)全球存儲器業(yè)的先進(jìn)行列,至少可以與臺灣地區的存儲器業(yè)相媲美。
選擇存儲器作為IDM突破口
中國芯片制造業(yè)依代工起步,在某一階段有它的合理性。但就長(cháng)期發(fā)展,以及“十三五”規劃的目標來(lái)看,中國需要重新審視半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式。向IDM進(jìn)軍,刻不容緩。
眾所周知,中國半導體業(yè)一定要融入全球化之中,不能單成體系。按目前全球芯片銷(xiāo)售額的定義,中國半導體業(yè)銷(xiāo)售額中只有Fabless可以計入,其余的包括前,后段中的代工產(chǎn)值都不能計入其中。
另外,中國擁有全球最大的半導體市場(chǎng),但是每年的集成電路進(jìn)口額超過(guò)2000億美元,進(jìn)口替代以及提高芯片國產(chǎn)化率的呼聲很高。
因此如何在短期內能有一個(gè)明顯的提升,可以起到示范效應。
所以跨入IDM模式已經(jīng)刻不容緩,目前的困難是選擇哪一個(gè)品類(lèi)作為突破口。
相比較CPU處理器而言,對于中國芯片制造業(yè),存儲器產(chǎn)品可能是個(gè)正確的選擇。
挑戰不可避免
市場(chǎng)經(jīng)濟是一場(chǎng)搏斗,必定要分出勝負。所以對于中國半導體業(yè)而言,只能鼓足勇氣向前,不能退縮。
相信中國的存儲器一定能制造成功,因為日本及韓國在半導體市場(chǎng)的成功都是以存儲器作為突破口。
對手們主要是從以下三個(gè)方面防范中國:1)控制技術(shù)與人才流向中國;2)專(zhuān)利戰;3)價(jià)格戰。
其中對中國影響最大的是價(jià)格戰,因為對手的設備折舊凈值已經(jīng)不多,加上擁有先進(jìn)工藝制程,成本會(huì )比較低,而中國在這方面的成本會(huì )高很多。
盡管這段困難的經(jīng)歷是無(wú)法避免的,但只要中國的工藝成熟與穩定,產(chǎn)能充足后,存儲器的成本必然會(huì )下降,加上存儲器業(yè)的周期性,中國有可能交上“好運”。
然而真正的挑戰來(lái)自于自身技術(shù)研發(fā)的挑戰,中國必須努力研發(fā),突破技術(shù)瓶頸,否則產(chǎn)能很難有大幅提升。
中國半導體業(yè)有國家實(shí)力作為后盾,此次存儲器競爭是中國半導體業(yè)中的IDM模式保衛戰,盡管任務(wù)艱巨,責任重大,但相信只要能堅持到底,就有成功的希望,因此中國存儲器業(yè)要爭口氣。
評論