北航與微電子所成功制備國內首個(gè)80nm磁隨機存儲器芯片器件

　　近日，北京航空航天大學(xué)與微電子所聯(lián)合成功制備國內首個(gè)80納米自旋轉移矩——磁隨機存儲器芯片(STT-MRAM)器件。

　　STT-MRAM是一種極具應用潛力的下一代新型存儲器解決方案。由于采用了大量的新材料、新結構，加工制備難度極大。當前，美韓日三國在該項技術(shù)上全面領(lǐng)先，很有可能在繼硬盤(pán)、DRAM及閃存等存儲芯片之后再次實(shí)現對我國100%的壟斷。

　　微電子所集成電路先導工藝研發(fā)中心研究員趙超與北京航空航天大學(xué)教授趙巍勝的聯(lián)合團隊通過(guò)3年的艱苦攻關(guān)，在STT-MRAM關(guān)鍵工藝技術(shù)研究上實(shí)現了重要突破，在國內首次采用可兼容CMOS工藝成功制備出直徑80nm磁隧道結，器件性能良好，其中器件核心參數包括隧穿磁阻效應達到92%，可實(shí)現純電流翻轉且電流密度達到國際領(lǐng)先水平。

　　在北京市科委的大力支持下，該工作完全采用了可兼容傳統CMOS集成電路的工藝方法和流程，具備向產(chǎn)品化、產(chǎn)業(yè)化轉移的條件，對我國存儲器產(chǎn)業(yè)的技術(shù)突破形成了具有實(shí)際意義的推動(dòng)作用。