國家存儲器基地動(dòng)土　要建3座全球最大3D NAND廠(chǎng)

　　傾大陸國家之力的中國長(cháng)江存儲存儲器基地正式于2016年12月30日開(kāi)工，而此項目前身為武漢新芯存儲器基地，在歷經(jīng)中國紫光與武漢新芯合體后，重新找地建新廠(chǎng)，強調要打造全球單座潔凈室面積最大的3DNANDFlash新廠(chǎng)。

　　紫光集團于2016年12月30日在大陸武漢東湖高新區舉移動(dòng)土典禮，宣布中國國家存儲器基地正式開(kāi)工，該建設項目聯(lián)合紫光集團、國家集成電路產(chǎn)業(yè)地方基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投等共同出資，項目總投資金額達240億美元。

　　紫光集團暨長(cháng)江存儲董事長(cháng)趙偉國趙偉國典禮中強調，國家存儲器基地正式動(dòng)土開(kāi)工不僅僅是一個(gè)項目的開(kāi)工，更代表大陸存儲器芯片規?；l(fā)展的突破，而存儲器基地也是中國積體電路產(chǎn)業(yè)單向投資最大的項目。

　　存儲器基地位于武漢東湖高新區“武漢未來(lái)科技城”，據悉，此項目前身為2016年5月才動(dòng)土的武漢新芯存儲器基地，而在7月武漢全城淹水后，中國紫光與武漢新芯合組長(cháng)江存儲公司，高層在重新視察后，南移至同位于武漢東湖高新區的豹澥地段。

　　該地占地1,968公畝(約595萬(wàn)坪)，官方宣布將建設全球單座潔凈室面積最大的3DNANDFlash廠(chǎng)房3座，以及1座總部大樓和落干配套建筑，核心廠(chǎng)房與設備每平方公尺投資將超過(guò)3萬(wàn)美元，同樣預期于2018年完成建廠(chǎng)投產(chǎn)，2020年完成整個(gè)項目，總產(chǎn)能同先前目標，將達到一個(gè)月30萬(wàn)片，官方預估年產(chǎn)值逾100億美元。

　　業(yè)界人士指出，雖然紫光集團強調技術(shù)自主研發(fā)，但近期已積極對臺展開(kāi)大規模挖角移動(dòng)，值得有關(guān)單位和企業(yè)密切注意。