中國科學(xué)家發(fā)現手機發(fā)燙的元兇 核電池發(fā)展有望
對于熟悉芯片的人來(lái)說(shuō),高性能通常伴生這高發(fā)熱,隨著(zhù)我們對電子產(chǎn)品的依賴(lài)程度日益增加,手機、平板、筆記本電腦等的發(fā)熱問(wèn)題,不僅對使用體驗造成負面影響,同時(shí)還阻礙著(zhù)生產(chǎn)商設計出更加美觀(guān)、輕便的新產(chǎn)品。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201610/311349.htm這個(gè)答案可能就藏在廖浡霖博士最新發(fā)表的論文中。這位前四川省高考狀元師從陳剛教授,今年從麻省理工學(xué)院獲得了博士學(xué)位。
他所在的研究團隊精確測量了電子與聲子的相互作用,所得成果不僅解釋了微電子設備的發(fā)熱原因,同時(shí)還能用以進(jìn)一步提高熱電材料的性能。

隨著(zhù)半導體芯片的發(fā)展,越來(lái)越多的晶體管被塞入了越來(lái)越小的空間中。麻省理工學(xué)院的工程師最新發(fā)現,手機、筆記本電腦等其他電子設備會(huì )發(fā)燙,主要原因在于電子和攜帶熱能的聲子相互作用。
這樣的相互作用曾一度被科學(xué)家們忽略,然而最新的研究結果顯示,在微電子設備中,這種相互作用對散熱起到了重大的影響,相關(guān)的研究結果發(fā)表在了10月12日的《Nature Communication》上。
在實(shí)驗中,研究小組使用精確定時(shí)的激光脈沖在一片超薄硅薄膜中測量了電子和聲子的相互作用。測量結果顯示:隨著(zhù)薄膜中電子濃度增加,會(huì )有更多聲子因被電子散射而導致散熱困難。
麻省理工學(xué)院(MIT)畢業(yè)的廖浡霖博士是這篇論文的第一作者,他說(shuō)道:“電腦運行時(shí)會(huì )產(chǎn)生熱量,你肯定希望這些熱量快速散掉(被聲子帶走)。但是,如果聲子被電子散射,它們的散熱效果就會(huì )變差。隨著(zhù)芯片越造越小,這個(gè)問(wèn)題必須得到解決?!?/p>
但凡事既有一弊,必有一利,同樣的現象對熱電發(fā)電卻會(huì )帶來(lái)好處。熱電材料可以直接將熱能轉化為電能,被散射掉的聲子越多,意味著(zhù)越少的熱量流失,因此會(huì )大大提高熱電裝置的效率和性能。
熱電材料具有非常廣闊的應用范圍,其中包括了熱量探測儀和NASA最新提出用于太空探測設備的核電池。

聲子被電子散射的現象并不是什么新發(fā)現,但是長(cháng)期以來(lái)一直被科學(xué)家們忽略,隨著(zhù)半導體技術(shù)的不斷發(fā)展,電子的濃度變得越來(lái)越高,這種現象變得不可忽視。
科學(xué)家們必須思考如何更操控電子-聲子相互作用,這樣才能一方面增加熱電裝置的效率,而另一方面防止微電子設備發(fā)燙。
這篇論文其他作者都來(lái)自MIT,其中包括了廖浡霖的博導,MIT機械工程系主任陳剛教授。
聲子和電子的碰碰車(chē)游戲
無(wú)論是在晶體管(半導體材料,如硅)還是導線(xiàn)(導體材料,如銅)中,電子都是電流運動(dòng)的主要媒介。電阻之所以會(huì )存在,主要原因是電子流動(dòng)時(shí)會(huì )遇到路障——攜帶熱能的聲子會(huì )與電子碰撞,將其彈出電流的路徑外。
很久以來(lái),科學(xué)家就在研究電子-聲子相互作用所帶來(lái)的各種影響,但側重點(diǎn)主要集中于電子,而沒(méi)有太關(guān)注這種相互作用是如何影響聲子的。
“科學(xué)家很少研究這個(gè)相互作用對聲子的影響,因為他們認為這個(gè)效應不重要,”廖浡霖說(shuō)道,“但是牛頓第三定律告訴我們,每個(gè)力都有一個(gè)反作用力。只是我們不知道在什么情況下反作用力才會(huì )變得重要?!?/p>

散射,散熱難以?xún)扇?/p>
根據廖浡霖和同事先前的計算,當電子濃度超過(guò)每立方厘米1019個(gè)時(shí),在硅(半導體材料最常用到的物質(zhì))中電子和聲子的相互作用會(huì )對聲子產(chǎn)生巨大的散射作用。當電子濃度到達每立方厘米1021個(gè)時(shí),材料的散熱能力將因聲子的散射而降低50%。
“這是相當顯著(zhù)的效應,但很多人卻對此存疑,”廖浡霖說(shuō)道。
這主要是因為在之前用到高濃度電子材料的實(shí)驗中,科學(xué)家們都假設散熱能力的下降不是因為電子-聲子相互作用,而是由于材料的缺陷造成的。
這些缺陷的存在是因為人們對材料進(jìn)行了摻雜(doping),以硅為例,磷和硼是常用的摻雜原子,目的是為了增加材料的電子濃度。
因此,要驗證廖浡霖的理論,就必須分離電子-聲子相互作用和缺陷對散熱能力造成的影響。具體的實(shí)施方法就是,提高材料中的電子濃度,但不能引入任何缺陷。
研究小組發(fā)展了一種稱(chēng)作“三脈沖聲光波譜”(three-pulse photoacoustic spectroscopy)的技術(shù),通過(guò)光學(xué)的方法精確地在硅晶體薄膜中增加電子的濃度,并測量材料中的對聲子產(chǎn)生的任何影響。
這個(gè)技術(shù)是對傳統的“二脈沖聲光波譜”(two-pulse photoacoustic spectroscopy)的擴展,在傳統的方法中,科學(xué)家們通過(guò)精確調控,對材料發(fā)生兩束定時(shí)精準的激光。第一束激光在材料中產(chǎn)生聲子脈沖,第二束則用來(lái)測量聲子脈沖的散射或衰減。
廖浡霖引入了第三束激光,這樣就能精確地增加硅材料中的電子濃度而不引入任何缺陷。在發(fā)射了第三束激光后,測量結果顯示,聲子脈沖衰減時(shí)間明顯縮短,這表明了電子濃度的增加了聲子的散射并抑制了它的活動(dòng)。

實(shí)驗結果顯示,第三束激光的引入會(huì )造成聲子脈沖衰減時(shí)間的縮短,激光的強度越大(電子的濃度越高),聲子脈沖的衰減時(shí)間就越短。
這個(gè)結果讓廖浡霖團隊非常興奮,因為這很好地吻合了他們之前的計算結果。
“我們現在可以確定效應確實(shí)非常明顯,而且我們在實(shí)驗中證實(shí)了它,”廖浡霖說(shuō)道,“這是首個(gè)可以直接探測電子-聲子相互作用對聲子的影響的實(shí)驗?!?/p>
有趣的是,每立方厘米1019個(gè)電子的濃度,比現有的一些晶體管還要低,換句話(huà)說(shuō),最新發(fā)現的這種現象,是部分現有的微電子發(fā)熱發(fā)燙的元兇之一。
“根據我們的研究,隨著(zhù)電路的尺寸越來(lái)越小,這個(gè)效應將會(huì )越來(lái)越重要,”廖浡霖說(shuō)道,“我們必須認真考慮這個(gè)效應,并且研究如何利用或避免它帶來(lái)的影響?!?/p>
評論