英特爾Broadwell-E據稱(chēng)推遲到2016年 Skylake-S已經(jīng)

英特爾喜歡為每一個(gè)新的CPU架構推出數款發(fā)燒級產(chǎn)品。例如最近我們看到英特爾推出的Haswell-E產(chǎn)品線(xiàn)，這是普通Haswell產(chǎn)品發(fā)布一年之后的發(fā)燒級產(chǎn)品。英特爾正在準備年底推出Broadwell產(chǎn)品，所以很自然地看到許多泄露的路線(xiàn)圖顯示英特爾準備在2015年年底推出Broadwell-E發(fā)燒級產(chǎn)品。

不過(guò)根據VR-ZONE網(wǎng)站報道，英特爾已經(jīng)推遲了Broadwell-E發(fā)燒級產(chǎn)品發(fā)布時(shí)間，最新時(shí)間表顯示，這些產(chǎn)品要到2016年才能發(fā)布，而采樣時(shí)間定在2015年第二季度。

據其透露，Broadwell-E封裝類(lèi)似于Haswell-E。這意味著(zhù)我們將得到多達八個(gè)物理核心，40個(gè)PCIe通道，高達20 MB的高速緩存，并支持四通道DDR4-2400。一個(gè)主要的區別是Broadwell-E切換到14nm制造工藝，但是Broadwell-E的TDP 功耗據稱(chēng)將保持不變?yōu)?40W。

英特爾還聲稱(chēng)即將到來(lái)Skylake-S即將進(jìn)入采樣階段。據預計，這些處理器將在2015年下半年批量生產(chǎn)，為年底銷(xiāo)售旺季做好準備。

Skylake-S系列產(chǎn)品的TDP功耗最高90W，將支持DDR4和DDR3內存，目前采樣樣品最高工作頻率達到2.9 GHz，它們需要一個(gè)新的CPU插座 - LGA1151，這意味著(zhù)它不會(huì )與現有的Haswell主板兼容。