4G芯片 聯(lián)發(fā)科直搗高通大本營(yíng)

聯(lián)發(fā)科全力沖刺4G，3月起開(kāi)始直搗高通大本營(yíng)!在獲得美國電信營(yíng)運商T-Mobile認證后，聯(lián)發(fā)科具備最新VoLTE技術(shù)的高階4G晶片，將開(kāi)始配合客戶(hù)出貨至美國，由于4G中高階晶片出擊有成，聯(lián)發(fā)科今年首季業(yè)績(jì)可望達陣。

聯(lián)發(fā)科4G晶片一再受到競爭對手攻擊，指出其高階技術(shù)落后，并被質(zhì)疑出貨至美國的可能性。據了解，聯(lián)發(fā)科不但自本月起出貨至美國，一向被客戶(hù)視為與高通最大的4G-LTE技術(shù)的載波聚合(Category，簡(jiǎn)稱(chēng)Cat)規格落差，也將在第3季推出Cat 6，直接跳過(guò)高通目前主攻的Cat 9、挺進(jìn)次世代的Cat 10，與高通在高階市場(chǎng)齊頭較勁。

聯(lián)發(fā)科4G的布局在取得中國三大電信營(yíng)運商，包括中國移動(dòng)、中國聯(lián)通、中國電信的測試認證后，亦已取得歐洲兩大電信營(yíng)運商Vodafone、Orange兩大電信營(yíng)運商的測試認證。

此外，最新取得的美國電信4G測試認證，將自本月從T-Mobile開(kāi)始出貨，由于聯(lián)發(fā)科今年4G晶片不但在中國大陸市占率擴大，也將跨出中國市場(chǎng)，在上半年即可進(jìn)軍歐、美市場(chǎng)，聯(lián)發(fā)科在4G中高階晶片卡位成功，也將帶動(dòng)4G晶片的營(yíng)收占智慧型手機晶片比重，將在今年首季突破20%、在第2季突破30%，遠優(yōu)于去年第4季15%至20%的表現。

據了解，由于聯(lián)發(fā)科大客戶(hù)聯(lián)想在取得Motorola之后，聯(lián)發(fā)科進(jìn)軍美國市場(chǎng)企圖心強烈，因此投資高階技術(shù)研發(fā)，不但完成整合威睿的技術(shù)，將推出6模晶片，也快速將VoLTE技術(shù)導入，并在載波聚合的技術(shù)延伸快速追上高通，因此在美國電信營(yíng)運商的4G測試認證，除了T-Mobile外，也將在今年底取得 Verizon的4G測試認證，并有信心在明年上半年取得Sprint及ATT的測試認證。

法人預估，聯(lián)發(fā)科4G晶片成功進(jìn)軍歐、美市場(chǎng)，且大陸市場(chǎng)將自第2季開(kāi)始出貨給中國電信規格的產(chǎn)品，預期3月?tīng)I運開(kāi)始跳升，并可達成第一季營(yíng)收季減10至18%的財測目標，第2季智慧型手機晶片出貨量則會(huì )較首季成長(cháng)逾2成。