物聯(lián)網(wǎng)將掀晶圓代工變革？日本及三星策略大轉向

　　物聯(lián)網(wǎng)風(fēng)潮漸起，連臺積電董事長(cháng)張忠謀都喊出物聯(lián)網(wǎng)是 “The next big thing”，不只消費電子大廠(chǎng)、網(wǎng)通設備廠(chǎng)商紛紛朝此布局，晶圓代工市場(chǎng)也可能為此發(fā)生質(zhì)變?

　　物聯(lián)網(wǎng)之下，以往制造業(yè)大量生產(chǎn)創(chuàng )造規模經(jīng)濟的模式不再，取而代之的是多元化應用與少量多樣的產(chǎn)品特性，日本在今年 4 月推出迷你晶圓廠(chǎng)(Minimal Fab)強調造價(jià)低廉、小批量生產(chǎn)，就是瞄準物聯(lián)網(wǎng)感測器少量多樣的需求。

　　現在連三星也出現晶圓代工策略的大改變，不只是為物聯(lián)網(wǎng)，更是為降低對高通與蘋(píng)果等大客戶(hù)的依賴(lài)。據韓國媒體 ET News 報導，三星正在改變原本量產(chǎn)的晶圓代工策略，轉向小量多樣化接單，并開(kāi)始接美國、韓國、中國中小型規模廠(chǎng)商訂單，三星稱(chēng)此計畫(huà)為“開(kāi)放式晶圓廠(chǎng)(open foundry)”。報導中指出包含如 HanaTech、AlphaChips、KoreaChips 等韓廠(chǎng)，以及臺灣世芯(AllChip)、中國芯原(VeriSilicon)、美國加州 e-Silicon 等其他海外 IC 設計廠(chǎng)都是三星此次策略合作的對象。

　　不只接單，制程技術(shù)或也可能出現變化，FinFET 技術(shù)被視為 20 奈米以下半導體制程微縮的重要技術(shù)，不少半導體大廠(chǎng)將資源傾注在 FinFET，但在物聯(lián)網(wǎng)浪潮來(lái)臨，FD-SOI(全耗盡型絕緣層覆矽)技術(shù)也日漸受到重視。與 FinFET 相比，FD-SOI 基板雖然較貴，但在掩模數量與制造工序比 FinFET 來(lái)得少，減少部分光罩成本也縮減了制造時(shí)間，在技術(shù)上比 FinFET 更適合類(lèi)比/混合訊號、RF，FD-SOI 還具備了低功耗的優(yōu)勢，因此，不少人認為 FD-SOI 將是物聯(lián)網(wǎng)較佳選擇，或能與 FinFET 互補。

　　FD-SOI 由意法半導體借力與三星、IBM、格羅方德所組的 ISDA(國際半導體開(kāi)發(fā)聯(lián)盟)所開(kāi)發(fā)，除了掌握技術(shù)的意法半導體本身，三星以 FinFET 致力在 14 奈米、10 奈米等先進(jìn)制程競逐外，也在生命周期較長(cháng)的 28 奈米制程布建 FD-SOI 產(chǎn)能，傳出 FD-SOI 已達到黃金良率，并估計于第三季開(kāi)始量產(chǎn)。

　　而格羅方德押寶 FinFET 的同時(shí)，在去年即基于 22 奈米 FD-SOI 推出“22FDX”平臺，聲稱(chēng)晶粒尺寸縮減 20%，光罩數目減少 10%;相較 foundry FinFET，減少近 50% 的浸潤式微影層，并強調對比 28 奈米 HKMG 功耗的大幅縮減。