CISSOID 向 Thales 交付首個(gè)碳化硅（ SiC ）智能功率模塊

　　高溫及長(cháng)壽命半導體解決方案的領(lǐng)先供應商CISSOID公司宣布，向 Thales Avionics Electrical Systems 交付首個(gè)三相 1200V/100A SiC MOSFET 智能功率模塊(IPM)原型。該模塊在 Clean Sky Joint Undertaking 項目的支持下開(kāi)發(fā)而成，通過(guò)減小重量和尺寸，該模塊有助于提高功率轉換器密度，從而支持多電飛機(More-Electrical Aircraft)中的發(fā)電系統和機電致動(dòng)器。

　　此 IPM 可讓柵極驅動(dòng)器與功率晶體管完美整合，從而利用碳化硅(SiC)的全部?jì)?yōu)勢，即低切換損耗和高工作溫度。 憑借 HADES2? 隔離式柵極驅動(dòng)器(該產(chǎn)品綜合了多年的 SiC 晶體管驅動(dòng)開(kāi)發(fā)經(jīng)驗)，并結合先進(jìn)的封裝技術(shù)，使功率模塊在極端條件下實(shí)現可靠運行。

　　對于此航天級模塊，已選擇三相功率轉換器拓撲結構，同時(shí)，對于混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV)和鐵路項目，正在研究其他拓撲結構。在這個(gè)三相拓撲結構中，6個(gè)切換位置中的每個(gè)都包括一個(gè)100A SiC MOSFET晶體管和一個(gè)100A SiC肖特基續流二極管。這些器件可承受高達1200V的電壓，為540V航天直流總線(xiàn)提供足夠的防過(guò)壓冗余，而且此模塊在設計上可輕松使用1700V/150A SiC器件進(jìn)行升級。晶體管的典型導通電阻為12.5mΩ或8.5mΩ，取決于其額定電流是100A還是150A。

　　在模塊的設計中還特別注意了熱工方面的問(wèn)題。首先，所有選用的材料都允許在較高結溫(高達200°C，峰值為225°C)下可靠運行，以降低冷卻要求。這種選材還使該模塊能耐受機體和儲存溫度較高(150℃)的情況。最后，該模塊基于A(yíng)lSiC基板、AIN基片和銀燒結等高性能材料，以提供與SiC器件之間近乎完美的熱膨脹系數(CTE)匹配，以及耐熱方面的高魯棒性和功率循環(huán)表現。

　　在同一個(gè)IPM中協(xié)同化設計柵極驅動(dòng)器和功率模塊使CISSOID可以?xún)?yōu)化柵極驅動(dòng)器電路，并且在考慮功率模塊的寄生電感的同時(shí)最大限度減少這種電感(如可能)。最大限度減少寄生電感可更快切換SiC晶體管并降低切換損耗。IPM還可為電力電子設計者提供一種即插即用解決方案，使他們在設計柵極驅動(dòng)器板時(shí)節省大量時(shí)間，而使用SiC晶體管設計柵極驅動(dòng)器板是非常具有挑戰性的。這樣，用戶(hù)可集中精力設計充分利用SiC優(yōu)點(diǎn)的高密度功率轉換器。

　　Thales Avionics功率轉換器設計團隊經(jīng)理Taoufik Bensalah表示：“很高興能夠在Clean Sky項目體系中與CISSOID團隊合作。他們可以非常靈活地為我們提議相關(guān)解決方案，滿(mǎn)足多電飛機對新一代高密度功率轉換器的要求?！盋ISSOID工程副總裁Etienne Vanzieleghem補充道：“對于和 Thales 開(kāi)展的這次成效顯著(zhù)的合作，以及我們在規范這個(gè)IPM時(shí)進(jìn)行的開(kāi)放性討論，我們都感到非常愉快。我們還要感謝 Clean Sky項目使這次合作順利成行，這也是CISSOID在結合封裝和電路設計專(zhuān)業(yè)知識方面的一個(gè)良好范例。這個(gè)項目還提供了一個(gè)機會(huì )，增進(jìn)了我們與塔布(CISSOID封裝團隊所在地)的PRIMES平臺之間的合作關(guān)系?！?/p>

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