中國在存儲器長(cháng)遠發(fā)展方向仍然面臨巨大鴻溝

　　中國正急于建立自己的記憶體業(yè)務(wù)，這一點(diǎn)當然毋庸置疑。不過(guò)到底要如何以及何時(shí)才能實(shí)現這一愿景卻仍舊是個(gè)跡，日本的幾位半導體行業(yè)知情人士在接受采訪(fǎng)時(shí)指出。

　　中國國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金擁有雄厚的財力，而這筆由地方政府主導的經(jīng)濟資源將被用于幫助中國的“記憶體夢(mèng)”一步步成為現實(shí)。

　　不過(guò)拋開(kāi)主觀(guān)愿望，中國要想真正建立屬于自己的記憶體產(chǎn)業(yè)，還需要可靠的知識產(chǎn)權來(lái)源與工程技術(shù)人才。

　　中國代工廠(chǎng)商XMC于上周在武漢正式著(zhù)手興建一座新的晶圓工廠(chǎng)，旨在制造3D NAND閃存記憶體。整個(gè)建設計劃預計耗資240億美元，資金來(lái)源則包括集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金以及中國發(fā)展投資基金等多個(gè)財團，XMC方面指出。

　　一位日本半導體設備專(zhuān)家表示，這筆交付XMC的投資“極其巨大”。他同時(shí)語(yǔ)帶諷刺地指出：“這意味著(zhù)項目必須得取得成功?！辈贿^(guò)在被問(wèn)及XMC將使用哪家企業(yè)的3D NAND閃存技術(shù)時(shí)，他的回答是“他們說(shuō)使用的是自有IP。不過(guò)我對此并不了解?！?/p>

　　三星對東芝

　　IHS技術(shù)公司半導體價(jià)值鏈主管Akira Minamikawa也表達了類(lèi)似的謹慎態(tài)度。說(shuō)起XMC的3D NAND閃存制造起步工作，他認為“非常艱難”。以三星為例，他指出盡管三星公司在其3D NAND閃存項目當中投入了大量資源，但仍然耗費相當長(cháng)的時(shí)間才構建完成。

　　東芝公司據稱(chēng)同樣飽受3D NAND閃存開(kāi)發(fā)難題的困擾。Minamikawa發(fā)現東芝公司的3D NAND閃存記憶體進(jìn)程較三星方面“至少延后了一年時(shí)間”?！罢\然，東芝公司表示其3D NAND已經(jīng)開(kāi)始發(fā)布樣品。但一般來(lái)講，樣品制造與批量生產(chǎn)之間仍然有著(zhù)很大距離?！?/p>

　　可以肯定的是，XMC也將面臨著(zhù)同樣的挑戰——事實(shí)證明，3D NAND閃存技術(shù)的發(fā)展成熟以及制作當中所必需的精密工藝技術(shù)都需要長(cháng)時(shí)間打磨方可實(shí)現?！爱斎?，整個(gè)過(guò)程至少需要三到四年，”Minmikawa表示，“甚至更久?！?/p>

　　而更令各位專(zhuān)家費解的是，XMC是否真的擁有自己的3D NAND閃存知識產(chǎn)權。

　　一種可能的解釋來(lái)自Spansion公司一年前發(fā)布的聲明(此后該公司被Cypress所收購)。Spansion方面表示，其將與XMC合作開(kāi)發(fā)3D NAND技術(shù)。

　　不過(guò)問(wèn)題在于，Spansion的閃存記憶體開(kāi)發(fā)工作并非主要指出NAND，而是NOR閃存，Takashi Yunokami在采訪(fǎng)中解釋稱(chēng)。

　　Yunogami是一位工程師出身的顧問(wèn)，并出版過(guò)多部關(guān)于日本半導體行業(yè)的論著(zhù)。在日立公司效力期間，他專(zhuān)門(mén)負責干蝕刻技術(shù)的開(kāi)發(fā)。

　　總而言之，沒(méi)人見(jiàn)到過(guò)Spansion的3D NAND親戚，Yunogami解釋道。這意味著(zhù)XMC與Spansion——或者說(shuō)現在的Cypress——的合作成果始終難以捉摸。

　　迎頭趕上不過(guò)在接受《電子工程時(shí)報》采訪(fǎng)時(shí)，武漢XMC公司給出了完全不同的3D NAND閃存技術(shù)發(fā)展綱要。XMC公司的一位發(fā)言人通過(guò)電子郵件對采訪(fǎng)做出了答復：

　　XMC公司于2014年開(kāi)始推進(jìn)3D NAND項目。在此之后，XMC與Spansion(現已被Cypress收購)則共同簽訂了面向3D NAND閃存研發(fā)工作的合作協(xié)議及交叉授權許可，意味著(zhù)雙方將共享相關(guān)知識產(chǎn)權。

　　XMC方面宣稱(chēng)，該公司于2015年5月“在3D NAND項目上取得了重大進(jìn)展”，當時(shí)該公司的第一款測試芯片“通過(guò)電氣驗證”。這位發(fā)言人同時(shí)補充稱(chēng)，“從那時(shí)開(kāi)始，XMC不斷在記憶體單元性能與可靠性?xún)?yōu)化方面取得改進(jìn)?！?/p>

　　XMC公司深諳3D NAND市場(chǎng)上的競爭格局。在去年11月召開(kāi)的集成電路行業(yè)促進(jìn)大會(huì )上，XMC公司首席運營(yíng)官洪沨在演講中指出，NAND閃存技術(shù)“為XMC提供了千載難逢的發(fā)展機會(huì )?！彼瑫r(shí)補充稱(chēng)，“三星主導3D NAND開(kāi)發(fā)市場(chǎng)不過(guò)兩年左右。立足于當下，我們仍然很有可能迎頭趕上并躋身一線(xiàn)集團?！?/p>

　　另外還有與Spansion的合作關(guān)系。盡管已經(jīng)被Cypress公司所收購，但XMC堅信“雙方的合作關(guān)系并未受到影響?！?/p>

　　回顧Spansion與XMC在去年2月發(fā)布的聲明，時(shí)任Spansion公司戰略聯(lián)盟高級副總裁的Ali Pourkeramati指出：

　　3D NAND將徹底轉變未來(lái)數據的存儲效率。我們擁有領(lǐng)先的MirrorBit技術(shù)，這是我們過(guò)去十年以來(lái)的努力結晶，而其將成為3D NAND創(chuàng )新工作中的核心優(yōu)勢并帶來(lái)無(wú)可匹敵的高性能數據存儲方案。

　　IHS公司的Minamikawa表示，日本各半導體企業(yè)都曾經(jīng)沖擊過(guò)NAND這一技術(shù)難題，不過(guò)具體時(shí)間點(diǎn)大概是在十年前。部分日本工程師對于NAND非常精通——然而，他們所開(kāi)發(fā)了的NAND技術(shù)與如今的3D NAND閃存可謂截然不同，他坦言。

　　這就帶來(lái)了新的問(wèn)題，XMC能否吸引到充足且經(jīng)驗豐富的工程師，以肩負起中國發(fā)展自有3D NAND的野心?這恐怕正是瓶頸所在，Minamikawa表示。

　　同樣的，中國在制程技術(shù)層面同樣缺乏人才儲備，Yunogami立足于客觀(guān)評論道，“就個(gè)人而言，我認為這會(huì )令XMC相當被動(dòng)?！?/p>

　　投資思路毫無(wú)問(wèn)題

　　不過(guò)考慮到大數據時(shí)代下對記憶體資源的迫切需求，Yunogami認為中國建立自己的記憶體業(yè)務(wù)是非常明智的。

　　為了證明實(shí)際經(jīng)濟效應，Sanford C. Bernstein公司研究人員預測稱(chēng)，中國2013年用于采購芯片的開(kāi)銷(xiāo)甚至高于石油進(jìn)口總額。

　　XMC公司CEO楊士寧在去年11月于中國召開(kāi)的記憶體與數據存儲技術(shù)峰會(huì )上做出了主題演講。

　　當時(shí)，楊士寧總結稱(chēng)“記憶體開(kāi)發(fā)工作將成為一場(chǎng)‘不可避免的戰斗’，特別是考慮到中國需要爭取在集成電路產(chǎn)業(yè)與國內供應能力領(lǐng)域實(shí)現快速突破?！?/p>

　　與CPU業(yè)務(wù)進(jìn)行比較——其需要“一套相當復雜的生態(tài)系統”，楊士寧指出，“記憶體技術(shù)同樣很難實(shí)現突破，但只要能夠解決瓶頸并維持產(chǎn)量，所能產(chǎn)出的總存儲容量將快速提升?！?/p>

　　楊士寧就XMC的此次積極投資提出了三點(diǎn)理由。

　　目前全世界記憶體市場(chǎng)需求的55%來(lái)自中國。只要產(chǎn)品質(zhì)量過(guò)硬，產(chǎn)品將能夠順利吸引到國內企業(yè)客戶(hù)的注意。第二，記憶體開(kāi)發(fā)工作需要由政府出資并提供政策扶持。第三，好的項目能夠吸引大量技術(shù)人才進(jìn)入中國。

　　其它響應中國記憶體產(chǎn)品號召的供應商還包括三星，其3D V-NAND閃存記憶體芯片工廠(chǎng)已經(jīng)于西安建成并投入使用;還有英特爾，其于去年10月宣布將升級位于大連的300毫米邏輯芯片工廠(chǎng)以用于生產(chǎn)3D NAND。

　　Sino King迅速跟進(jìn)

　　來(lái)自臺灣的Sino King Technology(由Elpida公司前任CEO Yukio Sakamoto執掌)公司亦在積極追隨中國的記憶體發(fā)展野心與集成電路行業(yè)投資基金帶來(lái)的巨款。

　　日本經(jīng)濟報刊《Nikkei》于2月底報道稱(chēng)，Sino King正計劃成為“中國在合肥投資8000億日元(折合70億美元)所建立的新項目中的一部分”，旨在面向物聯(lián)網(wǎng)設備開(kāi)發(fā)低功耗DRAM。

　　但隨后官方發(fā)布聲明，稱(chēng)中國并沒(méi)有最終拍板這一項目規劃。

　　日本記憶體技術(shù)觀(guān)察家們則猜測，Sakamoto可能是在等待官方意見(jiàn)的過(guò)程中心情過(guò)分急切，而他泄露出消息則是為了向中方施壓。

　　《Nikkei》同時(shí)報道稱(chēng)，Sino King公司計劃“最早到2017年下半年實(shí)現批量生產(chǎn)能力?！?/p>

　　Making Yunogami對Sino King的計劃表示懷疑，該公司宣稱(chēng)“將從日本、臺灣及中國招聘約1000名設計與生產(chǎn)技術(shù)工程師?！?/p>

　　Sino King公司在最初建立起只擁有10名來(lái)自日本與臺灣的工程師。誠然，Sakamoto可以動(dòng)用自己的關(guān)系吸引更多日本工程師，但建立“1000名工程師”的作法在記憶體技術(shù)領(lǐng)域“幾乎不可能”，Yunogami表示。

　　但原本曾任職于Renesas的工程師是否有可能批量加入呢?恐怕不行，Yunogami指出?！斑@批工程師中大部分已經(jīng)投奔東芝，并繼續從事3D NAND閃存開(kāi)發(fā)工作?！?/p>