英特爾發(fā)布14nmFinFET工藝Xeon處理器和使用3D NAND的SSD

　　英特爾于2016年4月1日發(fā)布了服務(wù)器用微處理器Xeon的新產(chǎn)品以及企業(yè)級SSD的新產(chǎn)品。兩種類(lèi)的新產(chǎn)品都容易實(shí)現SDI(軟件定義基礎架構)，能輕松構建合適的云環(huán)境等。

　　此次發(fā)布的MPU是面向中端服務(wù)器的“Intel Xeon Processor E5-2600 v4系列”(開(kāi)發(fā)代碼：Broadwell-EP)，利用14nm FinFET工藝制造。與利用22nm FinFET制造的上一代產(chǎn)品“Intel Xeon Processor E5-2600 v3系列”(開(kāi)發(fā)代碼：Haswell-EP)相比，強化了性能等。

　　具體來(lái)說(shuō)，每個(gè)插槽的CPU內核數/線(xiàn)程數量由最多18/36增至22/44;末級緩存容量由45MB增至55MB;支持的的DDR4內存速度也更高，上一代產(chǎn)品最高為DDR4-2133，而新產(chǎn)品達到DDR4-2400。

　　SSD新產(chǎn)品有兩個(gè)系列，分別是“Intel SSD DC P3320/P3520系列”和“Intel SSD DC D3700/D3600系列”。前者在英特爾SSD中首次采用了3D NAND，其中，P3320的性能是SATA連接的現有產(chǎn)品的最高5倍。

　　D3700/D3600是英特爾SSD中首款支持雙端口的產(chǎn)品。是PCI Express連接的SSD，符合NVMe(Non-Volatile Memory Express)標準。以D3700為基礎構建的系統性能最高可達到現在市場(chǎng)上的雙端口SAS的6倍。