40nm代工RRAM存儲芯片 中芯國際進(jìn)入下一代內存產(chǎn)業(yè)

　　中芯國際(SMIC)已經(jīng)是國內最大、最先進(jìn)的晶圓代工廠(chǎng)，除了處理器之外他們也在積極謀劃存儲類(lèi)芯片業(yè)務(wù)。2014年9月份他們推出了自己開(kāi)發(fā)的38nm NAND閃存芯片，日前中芯國際又跟Crossbar公司達成了戰略合作協(xié)議，將使用40nm工藝為后者代工PRAM阻變式存儲器芯片，意味著(zhù)中芯國際已經(jīng)進(jìn)入了下一代內存產(chǎn)業(yè)。

　　RRAM阻變式存儲器也被稱(chēng)為相變內存，RRAM使用一種或者多種含硫化物玻璃制成，其特點(diǎn)就是受熱之后可以改變形狀，成為晶體或者非晶體，而不同狀態(tài)具有不同電阻值，因此可以用來(lái)儲存數據。

　　與普通的RRAM相比，RRAM內存不僅寫(xiě)入速度快30倍，壽命延長(cháng)10倍，而且RRAM內存在斷電時(shí)不會(huì )丟失數據，所以它不僅可以替代內存，也可以替代閃存。目前Intel、三星等公司都在積極投身PRAM內存研發(fā)。

　　中芯國際合作的伙伴Crossbar是全球RRAM內存產(chǎn)業(yè)中的領(lǐng)導者之一，中芯國際將使用40nm CMOS工藝為其代工RRAM產(chǎn)品，將幫助客戶(hù)將低延時(shí)、高性能和低功耗嵌入式RRAM存儲器組件整合入MCU及SoC等器件，以應對物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設備、平板電腦、消費電子、工業(yè)及汽車(chē)電子市場(chǎng)需求。