用高性能ADC拓展軟件定義無(wú)線(xiàn)電應用領(lǐng)域

美國國家半導體推出的全新12位模數轉換器(ADC)在采樣速率、動(dòng)態(tài)性能和集成功能集方面實(shí)現了很大的飛躍，其采樣速率高達3.6GSPS，同時(shí)能將基底噪聲保持在-147dBm/Hz。即使是性能最接近的單片競爭產(chǎn)品，也只能實(shí)現在1GSPS下12位分辨率的信號采樣，這樣的性能飛躍究竟是如何實(shí)現的？?jì)?yōu)良的采樣速率和噪聲特性是如何得到的？使用了哪些基礎架構和處理技術(shù)？以3.6GSPS速率采樣的12位數字數據是如何采樣及處理的？需要什么樣的時(shí)鐘電路？本文將就上述問(wèn)題以及接踵而至的其它諸多問(wèn)題進(jìn)行討論，并將在最后總結可能將受益于該技術(shù)的一些應用領(lǐng)域。

　　千兆采樣率級別的ADC設計工程師在系統架構上的選擇相對有限，通?？扉W式(flash)或折疊式(folding)最為合適。其它諸如流水線(xiàn)(pipeline)架構、分級式(sub-ranging)架構或多步式(multi-step)架構均使用了某種形式的判決反饋回路。例如，在流水線(xiàn)架構中，被采樣的模擬信號被低分辨率的ADC轉換為數字信號，接著(zhù)由低分辨率的數模轉換器(DAC)還原成模擬信號，這會(huì )產(chǎn)生一個(gè)誤差電壓，之后該電壓又一次被轉換為數字信號，再由控制邏輯進(jìn)行處理。這一系列連續事件最終限制了流水線(xiàn)架構所能獲得的最大采樣速率。一些流水線(xiàn)架構的ADC可能同時(shí)使用時(shí)間交錯采樣來(lái)獲得更高的采樣速率，但這樣的方法在功耗方面的效率相對較低。

　　盡管由于單次轉換僅受限于并行工作的一系列比較器的開(kāi)關(guān)速率，快閃型架構在理論上可實(shí)現最快的采樣速率，但它同樣存在一個(gè)重大弊端，即獲得N位的分辨率需要2N–1個(gè)數據比較器。在分辨率高于8位時(shí)，這樣做將以巨大的占位面積和更高的功耗為代價(jià)。此外，在分辨率為8位或更高時(shí)，對如此多的比較器輸出信號進(jìn)行編碼也將帶來(lái)額外的速率限制?；谏鲜鲈?，美國國家半導體全新的12位ADC系列使用了折疊式系統架構，并結合了內插技術(shù)和對用戶(hù)透明的片內自校準專(zhuān)利技術(shù)。

　　折疊式架構的情況與快閃式基本一致，不同的是比較器可根據折疊階數進(jìn)行共享，因此大幅減少了比較器數目。假設折疊階數為f，則n位轉換器所需的比較器數目為2N/f+f–2。內插技術(shù)還減少了所需的前端放大器數量，從而使輸入信號的負載最小化，進(jìn)一步降低了功率需求。但折疊式也有一個(gè)缺點(diǎn)，與快閃式相比，它更容易受器件偏移的影響。為補償偏移帶來(lái)的影響，ADC12D1800采用了專(zhuān)利的片內自校準方案來(lái)矯正ADC前置放大電路中的偏移。這將降低折疊式架構產(chǎn)生的積分非線(xiàn)性(INL)誤差。與其它系統架構相比，折疊內插式與片內自校準技術(shù)的結合大大節省了芯片裸片面積和功耗。上電后自校準在芯片內自動(dòng)運行，無(wú)需任何外部信號或控制電路。該系列ADC采用美國國家半導體自有的0.18μm純CMOS工藝制造，這種工藝是為獲得最大噪聲性能同時(shí)盡可能降低功耗而專(zhuān)門(mén)開(kāi)發(fā)的。其它超高速ADC采用Bipolar(雙極)或BiCMOS工藝技術(shù)制造，通常需要2個(gè)或更多的電源軌且功耗極大。圖1中給出了雙ADC12D1800的模塊圖，該芯片運行在1.8V至2.0V的單軌電源下，每個(gè)通道的功耗僅為2.05W。

圖1：12位模數轉換器ADC12D1800模塊圖。