C波段寬帶低噪聲頻率源的研制

摘要：介紹了利用鎖相環(huán)和混頻技術(shù)，實(shí)現C波段低相噪跳頻源的方案，該方案通過(guò)兩個(gè)環(huán)路同時(shí)實(shí)現跳頻及混頻，步進(jìn)36 MHz，輸出頻率4 428～5 220 MHz，具有低相位噪聲，低雜散等特點(diǎn)。和以往鎖相頻率合成的不同之處在于：以往混頻時(shí)采用主環(huán)信號4 428～5 220 MHz作為混頻器的RF端，而本方案為可以充分抑制輔環(huán)雜散，通過(guò)放大器將主環(huán)信號放大作為混頻器的本振LO端。測試結果表明達到系統對項目的指標要求，該頻率合成方案是可行的。
關(guān)鍵詞：雜散抑制；頻率合成器；低相噪；環(huán)路濾波器

微波頻率源是微波通信、微波測量及雷達技術(shù)中的重要部件，其相噪性能和雜散性能直接影響到系統的性能和可靠性。因此，尋求更低相位噪聲、更高純度頻譜和更高穩定度的頻率源成為目前發(fā)展的主要趨勢。

l 系統主要指標及方案
1．1 系統的主要指標
輸出頻率范圍：4 428～5 220 MHz；步進(jìn)頻率：36 MHz；相位噪聲：≤一100 dBc／

(3)由于對輸出在4 000～4 200 MHz帶內的雜散要求比較苛刻，而最佳輔環(huán)點(diǎn)頻為4 140 MHz，在腔體體積一定下，很難達到一70 dBc指標，故權衡輔環(huán)相噪的惡化程度，選擇4 320 MHz作為輔環(huán)。
(4)為了防止輔環(huán)點(diǎn)頻4 320 MHz作為雜散耦合到輸出端，故采用功分器和將主環(huán)信號4 428～5 220 MHz通過(guò)兩級放大作為混頻器的本振，輔環(huán)4 320 MHz點(diǎn)頻作為混頻器的RF端。該方案選用36 MHz的低相噪恒溫晶振作為兩個(gè)環(huán)路的參考源，主環(huán)和輔環(huán)均選用HITTTITE公司的超低相噪模擬鎖相環(huán)芯片HMC440，改善系統的相噪性能。輔環(huán)參考頻率為36 MHz，輸出4 320 MHz頻點(diǎn)；主環(huán)參考頻率為36 MHz，輸出頻率為4 428～5 220 MHz。經(jīng)定向耦合器后再與輔環(huán)輸出的頻點(diǎn)混頻到108～900 MHz，返回到主環(huán)鑒相器與參考頻率做比較。所有的控制都由單片機來(lái)完成，根據外部數據的輸入(BCD碼)來(lái)進(jìn)行相應的頻率輸出。

2 電路實(shí)現
在設計單片頻率合成器的時(shí)候，最主要的工作就是設計頻率合成器的環(huán)路帶寬，使得頻率合成器指標在相位噪聲、雜散、調頻速度和穩定性上等方面達到兼顧，實(shí)現最佳的綜合性能。
2．1 最佳環(huán)路帶寬
由于本項目沒(méi)有要求跳頻速度，所以環(huán)路帶寬采用最佳帶寬設計，使得相位噪聲盡可能的好。頻率合成器的輸出噪聲如下：

式中Llp(jw)為鎖相環(huán)芯片的噪聲，Lvco(jw)為VCO的相位噪聲，Hn(jw)是被N規一化的環(huán)路濾波器的傳遞函數。由上式可以看出環(huán)路對帶內噪聲源呈低通過(guò)濾，故希望將環(huán)路帶寬fc越低越好；但環(huán)路對VCO呈高通過(guò)濾，又希望環(huán)路越寬越好。為了兼顧這一對矛盾，參考圖2能夠使兩種相位噪聲都得到合理的抑制，可以選擇環(huán)路帶寬fc在兩噪聲源譜密度線(xiàn)的交叉點(diǎn)附近總是比較接近于最佳狀態(tài)的。但是考慮晶振噪聲要惡化20log(N／R)，所以實(shí)際帶寬要略小一些。