C波段寬帶低噪聲頻率源的研制
加入技術(shù)交流群
2．2 主輔環(huán)電路設計
理論估算帶內相噪估算公式(不考慮晶振的相噪)：
輔環(huán)的頻率相對要高點(diǎn)，為了使系統混頻后噪聲不惡化，獲得較低的相位噪聲，這里選用HMC440鑒相芯片，該芯片屬于模擬鑒相器，由HMC440技術(shù)資料上給出的一153 dBc／
由HMC440可推出鎖相環(huán)芯片相噪為一233 dBe／Hz，由上面式(2)可推出：
其中Kd是鑒相器的鑒相靈敏度，這里HMC440的Kd是0．286 V／rad，Kψ是VCO的壓控靈敏度(rad／V)，N是鎖相環(huán)的倍頻倍數。阻尼系數ξ為兼顧濾波器的過(guò)沖和衰減取0．707～1之間的一個(gè)值即可。這樣只要C2取定一個(gè)值，就可以同時(shí)確定R1，R2。C1的引入主要為濾去鑒相器產(chǎn)生的諧波，其引入的極點(diǎn)應遠離主極點(diǎn)，即
這樣環(huán)路濾波器就完全確定了。
3 硬件及實(shí)測數據
功分器相關(guān)文章:功分器原理
評論