一種減少VDMOS寄生電容的新結構

3 新結構的模擬結果
圖3給出了新型結構A的寄生電容模擬結果，從模擬結果來(lái)看，新型結構A增大了柵下耗盡區寬度，改變了柵下耗盡區的形狀，減小了柵漏電容Cgd對輸入電容、輸出電容沒(méi)有較大影響，在一定程度上減小了反饋電容。
柵電荷是比輸入電容更有用的參數，從電路設計的角度，由Qg=Igt可得到使器件在理想開(kāi)啟時(shí)間內所需的柵電流值。柵電荷Qg是功率MOSFET兩個(gè)最重要的參數之一(另一參數為Ron)。使用非零的Vds提供Qg-Vgs曲線(xiàn)已經(jīng)成為一種工業(yè)標準。在曲線(xiàn)里包含五種信息：共源輸入電容Ciss；共源反向傳輸電容Crss；使器件開(kāi)啟必須加在柵上的電荷量；得到器件理想開(kāi)關(guān)速度所需的柵電荷；器件在開(kāi)關(guān)期間所損耗的能量。
電源電路設計工程師使用這些信息設計驅動(dòng)電路，并估汁器件性能。采用TCAD(ISE)對新型結構A進(jìn)行了模擬，模擬結果如圖4所示。

可以明顯看出新型結構A的柵電荷明顯比一般結構的柵電荷小很多，Qg定義為Vgs=12 V時(shí)柵上所存貯的電荷，新型結構A和一般VDMOS結構柵電荷分別為20．25 nC和30．57 nC，減小了33．67％。

4 結 語(yǔ)
本文提出一種減小VDMOS寄生電容，提高其動(dòng)態(tài)特性的新結構。并用TCAD(ISE)軟件對其模擬。從模擬分析結果可看出，新型結構A與傳統VDMOS相比，能有效減小反饋電容及柵電荷，提高VDMOS器件的開(kāi)關(guān)速度，提高器件的動(dòng)態(tài)性能。