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寄生電容
寄生電容 文章 進(jìn)入寄生電容技術(shù)社區
引入空氣間隙以減少前道工序中的寄生電容
- 減少柵極金屬和晶體管的源極/漏極接觸之間的寄生電容可以減少器件的開(kāi)關(guān)延遲。減少寄生電容的方法之一是設法降低柵極和源極/漏極之間材料層的有效介電常數，這可以通過(guò)在該位置的介電材料中引入空氣間隙來(lái)實(shí)現。這種類(lèi)型的方式過(guò)去已經(jīng)用于后道工序 (BEOL) 中，以減少金屬互連之間的電容[1-4]。本文中，我們將專(zhuān)注于前道工序 (FEOL)，并演示在柵極和源極/漏極之間引入空氣間隙的SEMulator3D?模型[5]。SEMulator3D?是一個(gè)虛擬的制造軟件平臺，可以在設定的半導體工藝流程內模擬工藝變量。利用SE
- 關(guān)鍵字： 空氣間隙 前道工序 寄生電容
保護環(huán)對雙向可控硅靜電防護器件電容特性 的影響*
- 摘? 要：本文研究了P型保護環(huán)對雙向可控硅（DDSCR）靜電防護器件寄生電容的影響。在低壓工藝下制備 了不帶保護環(huán)的低壓雙向可控硅（LVDDSCR）和帶保護環(huán)的低壓雙向可控硅（LVDDSCR_GR）器件，在 高壓工藝下制備了不帶保護環(huán)的高壓雙向可控硅（HVDDSCR）和帶保護環(huán)的高壓雙向可控硅（HVDDSCR_ GR）器件。利用B1505A功率器件分析儀測試并討論了器件的電容特性，同時(shí)利用傳輸線(xiàn)脈沖（TLP）測試儀 分析了它們的靜電性能。結果表明，保護環(huán)的增加對器件靜電防護能力無(wú)較大影響，但在1?
- 關(guān)鍵字： 202206 雙向可控硅 保護環(huán) 寄生電容 傳輸線(xiàn)脈沖測試系統
PCB Layout中直角走線(xiàn)會(huì )產(chǎn)生什么影響?
- 直角走線(xiàn)一般是PCB布線(xiàn)中要求盡量避免的情況，也幾乎成為衡量布線(xiàn)好壞的標準之一，那么直角走線(xiàn)究竟會(huì )對信號傳輸產(chǎn)生多大的影響呢？從原理上說(shuō)，直角走線(xiàn)會(huì )使傳輸線(xiàn)的線(xiàn)寬發(fā)生變化，造成阻抗的不連續。其實(shí)不光是直角走線(xiàn)，頓角，銳角走線(xiàn)都可能會(huì )造成阻抗變化的情況。
- 關(guān)鍵字： PCBLayout PCB 直角走線(xiàn) EMI 寄生電容
如何妙用二極管減少寄生電容
- 二極管以其單向導電特性，在整流開(kāi)關(guān)方面發(fā)揮著(zhù)重要的作用;其在反向擊穿狀態(tài)下，在一定電流范圍下起到穩壓效果。令人意外的是，利用二極管的反偏壓結電容，能夠有效地減少信號線(xiàn)上的接入寄生電容，這里將近一步討論這個(gè)運用?！ ∩洗挝覀兎窒砹岁P(guān)于“如何妙用二極管的導通壓降”的知識，之后有用戶(hù)要求了解更多有關(guān)電子類(lèi)器件的知識，這里就來(lái)講講“如何妙用二極管減少寄生電容”?！ 《O管參數—單向導電性 提到二極管，大家最熟悉的就是二極管的單向導電性，反映伏安曲線(xiàn)上如圖1所示。當正向偏壓U=0.5V(硅管)時(shí)，二極管開(kāi)始導
- 關(guān)鍵字： 二極管 寄生電容
寄生電容介紹
寄生的含義就是本來(lái)沒(méi)有在那個(gè)地方設計電容，但由于布線(xiàn)構之間總是有互容，互感就好像是寄生在布線(xiàn)之間的一樣，所以叫寄生電容。
寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現出來(lái)的電容特性。實(shí)際上，一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，和一個(gè)電阻的串連，在低頻情況下表現不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會(huì )增大，不能忽略。在計算中我們要考慮進(jìn)去。ESL就是等效電感，ESR就是等效電阻。不管是電阻， [ 查看詳細 ]
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