電源設計小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升――第 2 部分

在本《電源設計小貼士》中，我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法進(jìn)行研究。在《電源設計小貼士28》中，我們討論了如何設計溫升問(wèn)題的電路類(lèi)似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據系統組件的物理屬性，計算得到熱阻和熱容。遍及整個(gè)網(wǎng)絡(luò )的各種電壓代表各個(gè)溫度。

本文中，我們把圖 1 所示模型的瞬態(tài)響應與圖 3 所示公開(kāi)刊發(fā)的安全工作區域（SOA 曲線(xiàn)）部分進(jìn)行了對比。

根據 CSD17312Q5 MOSFET、引線(xiàn)框以及貼裝 MOSFET 的印制電路板 (PWB) 的物理屬性，估算得到圖 1 的各個(gè)值。在查看模型時(shí)，可以確定幾個(gè)重要的點(diǎn)。PWB 到環(huán)境電阻（105^oC/W）為到環(huán)境的最低電阻通路，其設定了電路的允許 DC 損耗。將溫升限制在 100^oC，可將電路的允許 DC 損耗設定為 1 瓦。其次，存在一個(gè) 10 秒鐘的 PWB 相關(guān)時(shí)間恒量，所以其使電路板完全發(fā)熱的時(shí)間相當長(cháng)。因此，電路可以承受更大的電脈沖。例如，在一次短促的脈沖期間，所有熱能對芯片熱容充電，同時(shí)在更小程度上引線(xiàn)框對熱容充電。通過(guò)假設所有能量都存儲于裸片電容中并求解方程式(dV = I * dt / C)得到 I，我們可以估算出芯片電容器可以存儲多少能量。結果是，I =dV * C /dt = 100 ^oC * 0.013F / 1ms =1300 瓦，其與圖 3 的 SOA 曲線(xiàn)圖相一致。

圖 2 顯示了圖 1 的仿真結果以及由此產(chǎn)生的電壓響應。其功耗為 80 瓦，不同的時(shí)間恒量一眼便能看出。綠色曲線(xiàn)為裸片溫度，其迅速到達一個(gè) PWB 相關(guān)恒定電壓（藍色曲線(xiàn)）。您還可以看到一個(gè)引線(xiàn)框的第二時(shí)間恒量（紅色曲線(xiàn)），其稍微有一些滯后。最后，您還可以看見(jiàn) PWB 的近似線(xiàn)性充電，因為大多數熱能（電流）都流入其散熱電容。

我們進(jìn)行了一系列的仿真，旨在驗證模型的準確性。圖 3 顯示了這些仿真的結果。紅色標注表示每次仿真的結果。將一個(gè)固定電源（電流）放入電路中，相應間隔以后對裸片電壓（溫升）進(jìn)行測量。模型始終匹配 SOA 曲線(xiàn)。這樣做的重要性是，您可以使用該模型的同時(shí)使用不同的散熱片和 PWB 參數。例如，該 SOA 數據是針對缺乏強散熱能力的最小尺寸 PWB。我們可以增加電路板尺寸來(lái)降低其環(huán)境熱阻，或者增加銅使用量來(lái)提供更好的熱傳播—最終降低溫度。增加銅使用量也可以提高散熱能力。

下次，我們將討論獲得隔離偏置電源的一種簡(jiǎn)單電路，敬請期待。