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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 溫升

一文搞懂IGBT的損耗與結溫計算，圖文結合+計算公式步驟

  • 今天給大家分享的是：IGBT的損耗與結溫計算。與大多數功率半導體相比，IGBT 通常需要更復雜的一組計算來(lái)確定芯片溫度。這是因為大多數 IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個(gè)芯片的溫度，有必要知道每個(gè)芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數。還需要知道每個(gè)器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。這里將主要介紹一下：如何測量功率計算二極管和IGBT芯片的溫升。一、損耗組成部分根據電路拓撲和工作條件，兩個(gè)芯片之間的功率損耗可能會(huì )有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導
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金屬異物對無(wú)線(xiàn)功率發(fā)射器溫升的影響

利用熱反饋降低LED的溫升

  • 利用LED實(shí)現高亮度照明要求使用廠(chǎng)商允許的最大電流驅動(dòng)，但LED的平均壽命高度取決于工作溫度。工作溫度僅上升...
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降低LED的溫升——熱反饋

  • 利用LED實(shí)現高亮度照明要求使用廠(chǎng)商允許的最大電流驅動(dòng)，但LED的平均壽命高度取決于工作溫度。工作溫度僅上升...
  • 關(guān)鍵字： 降低  LED  溫升  

采用平面型變壓器抑制高頻變壓器中的漏感和溫升

  • 摘要：本文簡(jiǎn)要分析了平面型變壓器在抑制高頻變壓器中的漏感和溫升中的作用。敘詞：平面型變壓器 高頻變壓器 漏感 溫升 電源Abstract：The function of planar power transformer in the suppression of leakage in
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變頻器的溫升及其試驗方法探討

  • 1 引言　　隨著(zhù)新型電力電子器件和高性能微處理器的應用、控制技術(shù)的發(fā)展、電機傳動(dòng)技術(shù)的發(fā)展和國家節能減排的需要，變頻技術(shù)產(chǎn)品在國民經(jīng)濟各行業(yè)得到很好應用，資料顯示，2010年低壓變頻器行業(yè)增長(cháng)30%以上，規模達
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白光LED溫升問(wèn)題的解決方法

  • 過(guò)去LED 業(yè)者為了獲得充分的白光LED 光束，曾經(jīng)開(kāi)發(fā)大尺寸LED芯片 試圖藉此方式達到預期目標。不過(guò)，實(shí)際上白光LED的施加電力持續超過(guò)1W以上時(shí)光束反而會(huì )下降，發(fā)光效率相對降低20~30%.換句話(huà)說(shuō)，白光LED的亮度如果要
  • 關(guān)鍵字： 解決  方法  問(wèn)題  溫升  LED  白光  

白光LED溫升問(wèn)題的解決方案

  • 過(guò)去LED 業(yè)者為了獲得充分的白光LED 光束，曾經(jīng)開(kāi)發(fā)大尺寸LED芯片 試圖藉此方式達到預期目標。不過(guò)，實(shí)際上白光LED的施加電力持續超過(guò)1W以上時(shí)光束反而會(huì )下降，發(fā)光效率相對降低20~30%.換句話(huà)說(shuō)，白光LED的亮度如果要
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變壓器溫升的計算方法及公式

  • 采用空氣冷卻的變壓器，它的溫升除了與磁心損耗和繞組銅損之和有關(guān)外，還和輻射表面的面積有關(guān)。氣流流經(jīng)變壓器 ...
  • 關(guān)鍵字： 變壓器  溫升  空氣  

大功率LED溫升和溫控的解決辦法

  • 　隨著(zhù)各國對環(huán)境問(wèn)題的Et益重視，LED照明備受關(guān)注。目前，LED具有較高的發(fā)光效率，制造成本也在大幅下降，LED照明應用前景廣闊。然而，大功率LED燈的散熱仍然是LED照明行業(yè)發(fā)展的瓶頸，若散熱問(wèn)題得不到解決，將會(huì )使
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變壓器的溫升計算公式

  • 1 引言　　工頻變壓器的計算方法很多人認為已趨成熟沒(méi)有什么可討論的，對于一個(gè)單位的工程技術(shù)人員來(lái)講溫升計算問(wèn)題可能并不存在，溫升本身來(lái)源于試驗數據，企業(yè)本身有大量試驗數據，溫升問(wèn)題垂手可得。下面就溫升的
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電源設計小貼士 28：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升――第 1 部分

  • 在本電源設計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設備插入通電的電壓總線(xiàn)時(shí)限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線(xiàn)電壓下降以及連接設備運行中斷。
  • 關(guān)鍵字： 溫升  1部分  MOSFET  估算  設計  電源  TI  德州儀器  

電源設計小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升――第 2 部分

  • 在本《電源設計小貼士》中，我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法進(jìn)行研究。在《電源設計小貼士28》中，我們討論了如何設計溫升問(wèn)題的電路類(lèi)似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據系統組件的物理屬性
  • 關(guān)鍵字： 溫升  2部分  MOSFET  估算  設計  電源  TI  德州儀器  

估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升

  • 在本電源設計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔MOSFET溫升的簡(jiǎn)單方法。熱插拔電路用于將電...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  溫升  

表面貼裝半導體的溫升估算

  • 　　過(guò)去估算半導體溫升十分簡(jiǎn)單。您只需計算出組件的功耗，然后采用冷卻電路電模擬即可確定所需散熱片的類(lèi)型?，F在出于對尺寸和成本因素的考慮，人們渴望能夠去除散熱片，這就使得這一問(wèn)題復雜化了。貼裝在散熱增強
  • 關(guān)鍵字： 估算  溫升  半導體  表面  
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