采用新型IGBT優(yōu)化軟開(kāi)關(guān)應用中的損耗

電壓諧振電路里的RC-IGBT

圖10顯示了用于軟開(kāi)關(guān)應用的典型電壓諧振電路。

圖10 ：用于軟開(kāi)關(guān)應用的電壓諧振電路圖

對于190V~240V交流輸入電壓而言，RC-IGBT具有低飽和壓降和正向電壓：

1. 對于1.8kW的應用：IHW15N120R2(Vce=1,200V, Ic=15A@Tc=100℃)；

2. 對于2.0kW的應用：IHW20N120R2(Vce=1,200V, Ic=20A@Tc=100℃)；

3. 對于2.2kW的應用：IHW25N120R2(Vce=1,200V, Ic=25A@Tc=100℃)；

4. 對于2.4kW的應用：IHW30N120R2(Vce=1,200V, Ic=30A@Tc=100℃)。

為了測量IGBT的集電極電流Ice，應在發(fā)射極和地之間使用超低阻值的取樣電阻器。圖11為Vce和Ic的波形(搪瓷燒鍋負載)。工作頻率為29.1kHz，LC電路在諧振范圍之外(電磁爐的溫度模式為50℃)。

圖11： 1.8kW電磁爐應用(IHW20N120R2)的電壓諧振電路波形

本文小結

針對軟開(kāi)關(guān)應用進(jìn)行優(yōu)化的RC-IGBT技術(shù)可大幅度降低飽和壓降造成的損耗。最大結溫提升到175℃進(jìn)一步增強了芯片的電流能力。關(guān)斷開(kāi)關(guān)損耗以及發(fā)射極關(guān)斷電流幾乎沒(méi)有變化。