采用新型IGBT優(yōu)化軟開(kāi)關(guān)應用中的損耗
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時(shí)間：2011-01-12
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圖5 ：來(lái)自英飛凌科技的最新一代RC2-IGBT(IHWxxN120R2，xx=15A、20A、25A和30A)。采用無(wú)鉛電鍍TO-247封裝
圖6 ：在硬開(kāi)關(guān)條件下，175℃結溫以及室溫下IHW20N120R2(IN=20A，Vces=1,200V)和IHW30N120R2(IN=30A)的下降時(shí)間切線(xiàn)
圖7 ：在硬開(kāi)關(guān)條件下，175℃結溫以及室溫下RC2-IGBT的Eoff曲線(xiàn)
圖6顯示如果柵極電阻低于30(，下降時(shí)間再度上升。這對于實(shí)現良好的EMI行為非常重要。所有市場(chǎng)上相關(guān)應用設計目前使用的柵極電阻都在10~20Ω之間。這個(gè)柵極電阻選用區域也是最低開(kāi)關(guān)損耗區(見(jiàn)圖7)。它具有最低的開(kāi)關(guān)損耗和合適的EMI表現。
圖8 ：室溫和不同電流條件下IHW20N120R2的飽和壓降與Vf的關(guān)系
圖7和圖8顯示了最新一代RC2-IGBT(IHW20N120R2)的超低飽和壓降Vce(sat)和正向電壓Vf。圖8顯示了1,000片該器件在室溫和不同電流條件下的最低和最高飽和壓降的曲線(xiàn)圖，圖9顯示了它們在不同溫度和20A額定電流條件下的飽和壓降曲線(xiàn)圖。
圖9 ：20A標稱(chēng)電流和不同溫度下IHW20N120R2的飽和壓降與Vf的關(guān)系
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