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超級電容器充電器平衡有關(guān)探討

作者: 時(shí)間:2011-08-10 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

  LDO 是一種線(xiàn)性穩壓器。線(xiàn)性穩壓器使用在其線(xiàn)性區域內運行的晶體管或 FET,從應用的輸入電壓中減去超額的電壓,產(chǎn)生經(jīng)過(guò)調節的輸出電壓。所謂壓降電壓,是指穩壓器將輸出電壓維持在其額定值上下 100mV 之內所需的輸入電壓與輸出電壓差額的最小值。正輸出電壓的LDO(低壓降)穩壓器通常使用功率晶體管(也稱(chēng)為傳遞設備)作為 PNP。這種晶體管允許飽和,所以穩壓器可以有一個(gè)非常低的壓降電壓,通常為 200mV 左右;與之相比,使用 NPN 復合電源晶體管的傳統線(xiàn)性穩壓器的壓降為 2V 左右。負輸出 LDO 使用 NPN 作為它的傳遞設備,其運行模式與正輸出 LDO 的 PNP設備類(lèi)似。

在 LDO 模式時(shí),通過(guò) FB 引腳用一個(gè)外部電阻分壓器網(wǎng)絡(luò )設定輸出電壓 (VOUT),該分壓器網(wǎng)絡(luò )由 RFB1 和 RFB2 組成,而充電電流通過(guò) PROG 引腳用一個(gè)外部電阻器 RPROG 設定。參見(jiàn)圖 2 中所示的方框圖。控制電路由一個(gè)恒定電流放大器和一個(gè)恒定電壓放大器組成。當啟動(dòng)該 IC 以給一個(gè)已放電的組充電時(shí),最初恒定電流放大器起控制作用,并伺服 PROG 引腳電壓至 1V。通過(guò) PROG 電阻器的電流乘以約為 1,000 的檢測 MOSFET (MPSNS) 和功率 MOSFET (MPSW) 之比,以給組充電。當輸出電壓 VOUT 接近設定值時(shí),恒定電壓放大器接管控制權,而且如果有必要則減少充電電流,以保持 FB 引腳電壓等于一個(gè) 1.2V 的內部基準電壓。因為 PROG 引腳電流始終約為充電電流的 1/1,000,所以 PROG 引腳電壓持續指示實(shí)際充電電流,即使在恒定電壓放大器起控制作用時(shí)也是如此。

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  充電電流曲線(xiàn) (通常) 模式

  當 FB 引腳短路到輸入電壓 VIN 時(shí),LTC4425 進(jìn)入充電電流曲線(xiàn)模式。在這種工作模式時(shí),恒定電壓放大器從內部禁止,但是充電電流仍然通過(guò)外部 RPROG 電阻器設定。如果輸入至輸出電壓差 (VIN – VOUT) 超過(guò) 750mV,那么提供的電流是設定充電電流的 1/10, 以限制芯片內的功耗。當 VOUT 進(jìn)一步上升時(shí), FET 兩端的電壓變得太低,以至于無(wú)法支持滿(mǎn)充電電流。因此充電電流逐步降低,充電器 FET 進(jìn)入三極管 (符合歐姆定律的) 工作區 (參見(jiàn)圖 3)。既然充電器 FET RDS(ON) 近似為 50mΩ,那么在設定充電電流為 2A 時(shí),FET 將進(jìn)入符合歐姆定律歐姆的區,且當 VOUT 與 VIN 相差約100mV 以?xún)葧r(shí),充電電流將開(kāi)始下降。

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  電壓箝位電路

  LTC4425 配備的電路可將組中兩個(gè)超級電容器兩端的電壓限制到最高可允許電壓 VCLAMP。有兩個(gè)通過(guò) SEL 引腳可選的 VCLAMP 預置電壓:2.45V 或 2.7V。就較低的 2.45V VCLAMP 電壓而言,SEL 引腳應該設定為邏輯低電平,而對于較高的 2.7V VCLAMP 電壓,該引腳則應設為邏輯高電平。類(lèi)似地,如果頂端電容器兩端的電壓 (VTOP) 先達到 VCLAMP,那么 PMOS 并聯(lián)晶體管就接通,并開(kāi)始從頂端的電容器向底端的電容器泄放電荷。

  當任一超級電容器兩端的電壓達到與 VCLAMP 相差 50mV 以?xún)葧r(shí),互導放大器就開(kāi)始線(xiàn)性地降低充電電流。到任一并聯(lián)器件接通時(shí),充電電流降至設定值的 1/10,而且只要該并聯(lián)器件接通,就保持這個(gè)值不變。這是為了防止并聯(lián)器件被過(guò)大的熱量損壞??刂撇⒙?lián)器件的比較器有 50mV 的遲滯,這意味著(zhù),當任一電容器兩端的電壓降低 50mV 時(shí),并聯(lián)器件斷開(kāi),并以滿(mǎn)充電電流恢復正常充電,除非受到另一個(gè)控制充電器 FET 柵極放大器的限制。如果兩個(gè)電容器都超過(guò)它們的最大可允許電壓 VCLAMP,那么主充電器 FET 完全關(guān)斷,而且兩個(gè)并聯(lián)器件都接通。兩個(gè)并聯(lián)器件實(shí)際上是電流反射鏡,保證分走比通過(guò)充電器 FET 的電流更大的電流。

  漏電流電路

  LTC4425 還配備了一個(gè)內部漏電流放大器 (LBA),該放大器使中點(diǎn) (即 VMID 引腳) 電壓準確地等于輸出電壓 VOUT 的一半。由于其受限的 1mA 供應和吸收能力,它被設計成用來(lái)處理由漏電流引起的超級電容器的輕微失配,而不是用來(lái)糾正由缺陷引起的任何嚴重失配。只要有輸入電壓存在,器就工作。有了該內部平衡器,就無(wú)需外部平衡電阻器了。

  表 2 比較了凌力爾特超級電容器充電器系列的器件。

 

  結論

  目前,超級電容器正用于一度由電池主導的應用中。最初的應用是小電流,不過(guò)技術(shù)已經(jīng)進(jìn)步,超級電容器現在已經(jīng)用于消費類(lèi)和非消費類(lèi)市場(chǎng)上多種中到大功率的應用。超級電容器與電池相比有很多固有的優(yōu)點(diǎn),如可提供較高的峰值功率、較長(cháng)的周期壽命以及較小的外形尺寸。不過(guò),采用超級電容器的產(chǎn)品設計師面臨很多問(wèn)題,如需要容量平衡以及潛在的超級電容器過(guò)壓損壞。

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