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高可靠交流-直流LED照明驅動(dòng)方案

作者: 時(shí)間:2011-08-10 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

聚辰半導體有限公司近日對外宣布其為-(AC-DC),充電器,適配器,家電電源,輔助電源應用而設計的控制器,GT5010正式大規模量產(chǎn)。聚辰半導體的GT5010是繼EERPOM存儲器系列和智能卡系列兩大產(chǎn)品線(xiàn)之后的電源產(chǎn)品線(xiàn)的又一主力產(chǎn)品。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/178764.htm

  GT5010采用最新的變壓器原邊(PSR)控制方式和具有自主專(zhuān)利的全電流反饋控制技術(shù);外部高的MOSFET功率器件;其恒流和恒壓特性滿(mǎn)足小于±5%范圍;用于手機充電器待機功耗小于30mW;轉換效率全面滿(mǎn)足最新“EPS2.0”;GT5010采用SOT23-6封裝;可工作在-40到+85度的溫度范圍,同時(shí)具有過(guò)溫保護特性等完善的保護特性。這些特性都讓GT5010成為最佳的隔離和非隔離的3W,5W和7W高性能,低成本MR16,E14,E27和GU10等中最具性?xún)r(jià)比的控制芯片之一。

  變壓器原邊控制

  原邊反饋方式的AC/DC控制技術(shù)是最近10年間發(fā)展起來(lái)的新型AC/DC控制技術(shù),與傳統的副邊反饋的光耦加431的結構相比,其最大的優(yōu)勢在于省去了這兩個(gè)芯片以及與之配合工作的一組元器件,這樣就節省了系統板上的空間,降低了成本并且提高了系統的性。在等成本壓力較大,對體積要求很高的市場(chǎng)具有廣闊的應用前景。

  GT5010 LED正是基于這種原邊反饋方式。如圖一所示,該省去了原先副邊反饋的光耦和穩壓管431等外圍器件,其線(xiàn)路體積將更小,生產(chǎn)成本將更具有競爭力。

  

圖一、聚辰GT5010 LED線(xiàn)路示意圖。(電子系統設計)

  圖一、聚辰GT5010 LED線(xiàn)路示意圖。

  外部高MOSFET功率器件

  在MOSFET的數據表中,通??梢哉业剿牡湫偷膫鬏斕匦?。注意到25℃和175℃兩條曲線(xiàn)有一個(gè)交點(diǎn),此交點(diǎn)對應著(zhù)相應的VGS電壓和ID電流值。若稱(chēng)這個(gè)交點(diǎn)的VGS為轉折電壓,可以看到:在VGS轉折電壓的左下部分曲線(xiàn),VGS電壓一定時(shí),溫度越高,所流過(guò)的電流越大,溫度和電流形成正反饋,即MOSFET的RDS(ON)為負溫度系數,可以將這個(gè)區域稱(chēng)為RDS(ON)的負溫度系數區域。

  

圖二、 MOSFET轉移特性。(電子系統設計)

  圖二、 MOSFET轉移特性。

  而在VGS轉折電壓的右上部分曲線(xiàn),VGS電壓一定時(shí),溫度越高,所流過(guò)的電流越小,溫度和電流形成負反饋,即MOSFET的RDS(ON)為正溫度系數,可以將這個(gè)區域稱(chēng)為RDS(ON)正溫度系數區域。當MOSFET用作功率開(kāi)關(guān)時(shí),其導通時(shí)VGS較大,因此工作在RDS(ON)負溫度系數區域。從而隨著(zhù)溫度升高,電流會(huì )減少。具有自限制特性。因此在高溫環(huán)境下具有比BJT(RDS(ON)正溫度系數更高的可靠性。

  依據需要驅動(dòng)LED的功率不同,該方案可以選擇搭配聚辰品牌的1A和2A MOSFET。該方案極好的保證了在LED燈體內部高溫環(huán)境下穩定工作。

  


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