三模冗余在A(yíng)SIC設計中的實(shí)現方法
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
圖3為三模冗余加固后的寄存器的頂層模塊的仿真波形圖，圖中標線(xiàn)處電路的狀態(tài)出現了錯誤(由輸入d可以看出正確的狀態(tài)應該是在第3個(gè)時(shí)鐘上升沿后輸出才變?yōu)?)，其原因是由于TMR_DFF是組合邏輯輸出，在第1個(gè)上升沿的時(shí)候，reg0的輸入D經(jīng)clk，clk_skew[1]采樣后，out[0]變?yōu)?，reg1的輸入out[0]經(jīng)clk_skew[0]采樣后，其q2(圖1電路中的信號)變?yōu)?，電路狀態(tài)仍為1，在第二個(gè)上升沿來(lái)的時(shí)候，由于reg1的q2已經(jīng)為1，所以reg2的輸入out1經(jīng)clk采樣后，其q0變?yōu)?，多數表決后out1變?yōu)?，電路狀態(tài)為3，reg2的輸入out1經(jīng)clk_skew[1]，clk_skew[0]采樣后，其q1，q2變高，輸出out2變高，電路狀態(tài)變?yōu)?，就出現了狀態(tài)出錯的狀況。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/177765.htm
如果減小時(shí)鐘間的延遲，電路可能會(huì )出現不定態(tài)，原因也是由于組合邏輯的提前輸出，這里就不再討論了。
2 三模冗余的實(shí)現
2．1 修改網(wǎng)表二次綜合
DC綜合的功能是讀取設計的RTL代碼并且根據時(shí)序約束，綜合RTL代碼到結構級，從而產(chǎn)生一個(gè)映射后的門(mén)級網(wǎng)表，其中一個(gè)重要的步驟是指定綜合所使用的綜合庫，綜合庫一般由流片廠(chǎng)商提供，庫中包含了引腳到引腳的時(shí)序，面積，引腳類(lèi)型和功耗等信息，綜合后的門(mén)級網(wǎng)表中的單元也就是庫中所定義的單元。
三模冗余的加固過(guò)程實(shí)際上就是為設計中的每個(gè)觸發(fā)器生成2個(gè)冗余觸發(fā)器并加上表決邏輯，而RTL代碼中無(wú)法反應出這點(diǎn)，因此可以對原設計綜合后的門(mén)級網(wǎng)表進(jìn)行修改，把觸發(fā)器改為三模冗余觸發(fā)器，用門(mén)級描述編寫(xiě)三模冗余觸發(fā)器模塊，然后和修改的網(wǎng)表一起再次綜合就可得到三模冗余加固后的網(wǎng)表文件。值得說(shuō)明的是DC綜合庫里面有多種類(lèi)型的觸發(fā)器，比如SDFF，EDFF，SEDFF，JK，DFF，即使在綜合腳本中限定只用DFF觸發(fā)器，也會(huì )有好幾種，所以對于不同的單元要編寫(xiě)相應的三模冗余觸發(fā)器模塊(其結構如圖1所示)。此外由于有3路時(shí)鐘信號，所以要編寫(xiě)時(shí)鐘生成模塊，其功能是由clk產(chǎn)生互有延遲的2路時(shí)鐘信號。
首先在Synopsys的綜合工具DsignCompiler下對原設計的RTL代碼進(jìn)行綜合，得到電路的門(mén)級網(wǎng)表。門(mén)級網(wǎng)表中的電路實(shí)際上就是通過(guò)例化綜合庫的單元來(lái)描述電路的結構，可以使用形式驗證工具Formality來(lái)驗證RTL代碼和綜合后的門(mén)級網(wǎng)表在功能上是否一致。
然后修改門(mén)級網(wǎng)表，在網(wǎng)表中增加線(xiàn)網(wǎng)類(lèi)型ck[2：0]，并且實(shí)例化clkgen模塊，再把網(wǎng)表里面的觸發(fā)器改為三模冗余觸發(fā)器，并修改其時(shí)鐘端口為{clk，ck[1：0]}，由于綜合庫中不含有這兩個(gè)模塊，這時(shí)網(wǎng)表中就出現了兩個(gè)綜合工具沒(méi)有處理的模塊，時(shí)鐘生成模塊和三模冗余觸發(fā)器模塊，修改后的網(wǎng)表就不是完全映射后的門(mén)級網(wǎng)表。
最后對修改后的網(wǎng)表，時(shí)鐘生成模塊及三模冗余觸發(fā)器模塊進(jìn)行再次綜合，這次綜合實(shí)際上就是對時(shí)鐘生成模塊和三模冗余觸發(fā)器的綜合，把它們映射為綜合庫中的單元，得到的門(mén)級網(wǎng)表即是三模冗余加固后設計的門(mén)級網(wǎng)表。
2．2 建立三模冗余觸發(fā)器的庫單元
由于三模冗余觸發(fā)器單元的時(shí)鐘端口有3位，即使在庫中加入三模冗余觸發(fā)器的單元，綜合器也無(wú)法把設計直接映射成該單元，因此可以把時(shí)鐘生成模塊放到TMR_DFF內部，這樣三模冗余觸發(fā)器時(shí)鐘端口就只有1位，在庫文件中把觸發(fā)器單元用對應的三模冗余觸發(fā)器單元替換掉，DC就可以把電路中的觸發(fā)器直接映射成TMR_DFF，一次綜合就可以完成設計了，但是這樣一來(lái)整個(gè)芯片的面積又會(huì )增大很多(時(shí)鐘生成模塊不在共用)，除此之外也可以借助上面的方法在原設計綜合后修改網(wǎng)表。前面已經(jīng)提到庫文件里面有很多種類(lèi)型的觸發(fā)器，所以應對不同的DFF觸發(fā)器建立相應的庫單元，下面是一種建立庫單元的方法，主要分為2步：版圖設計和仿真特性提取。
單元庫的建立首先要完成單元的版圖設計，在確定單元庫所包含的單元種類(lèi)和單元電路后，根據加工廠(chǎng)家的工藝參數，設計規則等完成單元的版圖設計，并導出電路網(wǎng)表，此時(shí)網(wǎng)表中不僅有電路結構，還有電阻，電容參數。然后就可以進(jìn)行單元的參數提取工作。
參數提取需要選擇一種用于參數提取的工具，這里選擇siliconsmart，其次要確定模擬仿真工具，如HSpice。主要步驟包括創(chuàng )建工作目錄配置仿真環(huán)境，引入參考庫，產(chǎn)生仿真文件，運行仿真特性提取，生成庫文件。
創(chuàng )建工作目錄是指創(chuàng )建一個(gè)用于siliconsmart運行的目錄，此時(shí)會(huì )自動(dòng)生成一個(gè)名為config．tcl的腳本文件，需要手動(dòng)對其進(jìn)行一些關(guān)鍵配置，主要包括模擬工具的選擇(這里選擇HSpice)，模擬模型的指定，環(huán)境溫度等變量的設置等。引入參考庫是為工具指定一個(gè)參考的庫單元，工具將參考單元的信息摘取出來(lái)，并為該單元生成一個(gè)控制文件，該文件詳細描述了需要提取的單元的信息。包括單元網(wǎng)表文件，管腳信息，邏輯功能，輸入信號的上升／下降時(shí)間，輸出管腳負載情況等。如果沒(méi)有參考的庫文件，則需要手動(dòng)編寫(xiě)該文件。產(chǎn)生仿真文件是告訴工具對單元的哪些方面進(jìn)行特性提取，比如時(shí)序，功耗，CCS模型等。運行仿真提取是對單元進(jìn)行模擬仿真特性提取工作。生成庫文件會(huì )產(chǎn)生2個(gè)庫單元，其中．v是仿真工具用的仿真庫，．lib是可讀的綜合庫，可以在DC中用read_lib *．lib命令讀入．lib文件，然后用write_ lib* *．db命令可以生成．db綜合庫(*代表庫單元的名字)。
對于抗輻射加固來(lái)說(shuō)，除了用電路加固外可能還需要選擇更加可靠的工藝，SOI工藝就具有很好的抗輻射性能，它消除了閂鎖效應，有效地降低了單粒子效應，而此時(shí)就需要建立自己的單元庫了，庫中的觸發(fā)器單元就可以直接建成三模冗余觸發(fā)器的庫單元。
3 結語(yǔ)
航天系統中芯片的抗輻射能力是一個(gè)重要的指標，對于抗輻射的處理器和存儲器來(lái)說(shuō)，輻照實(shí)驗是測試中的一個(gè)重要環(huán)節。三模冗余加固技術(shù)只是眾多抗輻照加固技術(shù)的一種，比較常用的還有檢錯糾錯碼EDAC，SOI工藝加固，其中采用SOI工藝流片的費用比普通工藝更為昂貴。標準單元庫的建立對ASIC設計來(lái)說(shuō)是一項基礎性的工作，建立符合設計需要的標準單元庫對芯片設計來(lái)說(shuō)是很重要的，對此文章提供了一種一般性的方法。
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