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一種基于DDR高速圖像緩存的實(shí)現

作者: 時(shí)間:2009-05-13 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

的存儲單元[2]按照塊(BANK)、行(ROW)、列(Column)地址分布,支持最大猝發(fā)操作為8個(gè)存儲單元,每次切換塊、行地址必須首先進(jìn)行充電狀態(tài)(Precharge)來(lái)關(guān)閉當前操作的塊、行中的存儲單元,并且在進(jìn)行新的操作時(shí)首先要激活操作單元所在的塊和行,控制器在工作空閑狀態(tài)下發(fā)出激活命令(ACTIVE)進(jìn)入激活狀態(tài),在此狀態(tài)下等候應用層發(fā)送的控制命令以進(jìn)行數據操作。
  由以上分析可知:由于存在猝發(fā)長(cháng)度限制及塊和行地址切換等控制時(shí)間開(kāi)銷(xiāo),的隨機操作的數據吞吐量實(shí)際上是有限的,不適合緩存這種應用環(huán)境,必須設計一種新的猝發(fā)模式來(lái)提高數據吞吐量。本文結合充電以及緩存的特點(diǎn),提出并了一種一次操作DDR一行、一行1 024個(gè)存儲單元的猝發(fā)模式,由于DDR只支持2、4、8長(cháng)度的猝發(fā)模式,設計中采用了猝發(fā)長(cháng)度為4的連續猝發(fā)方式,核心思想是在一次猝發(fā)正在進(jìn)行的時(shí)候又發(fā)起操作命令從而使得該次猝發(fā)后連續進(jìn)行下一次猝發(fā)。了一次連續操作2KB數據的高吞吐量操作。如圖2狀態(tài)機所示,當一行操作完后則進(jìn)入空閑狀態(tài),然后再進(jìn)行自動(dòng)刷新和充電的操作。這種猝發(fā)模式一次猝發(fā)只需要一次充電操作,而猝發(fā)長(cháng)度為8的猝發(fā)模式完成2KB的數據傳輸共需要進(jìn)行125次充電操作,而一次充電操作需要幾個(gè)時(shí)鐘周期開(kāi)銷(xiāo),相比較而言,大大節省了控制開(kāi)銷(xiāo),提高了數據吞吐量。
1.2 應用層控制模塊
  本設計將DDR作為的容量擴展來(lái)緩存,這需要內部產(chǎn)生地址邏輯。在應用層控制模塊中,負責接收用戶(hù)接口模塊送過(guò)來(lái)的命令信號,并對命令進(jìn)行譯碼。判斷當前命令與上次命令一樣的時(shí)候地址繼續累加產(chǎn)生,當前命令與上次命令不同時(shí)則地址復位,重新從DDR的零地址開(kāi)始操作,這樣符合的工作特點(diǎn)。模塊產(chǎn)生DDR的地址信號和物理層的控制信號,并根據地址邏輯產(chǎn)生DDR狀態(tài)信號反饋到用戶(hù)層接口。
1.3 用戶(hù)層接口模塊
  用戶(hù)層接口模塊[3]負責接收輸入數據,并提供簡(jiǎn)易用戶(hù)接口,屏蔽了內部控制的復雜性,在用戶(hù)看來(lái)對該DDR的操作實(shí)際上就是對的操作,判斷DDR內部產(chǎn)生的DDR狀態(tài)信號,發(fā)出緩存或者數據讀出命令。
  用戶(hù)接口層模塊方框圖如圖3所示。當用戶(hù)發(fā)出緩存命令時(shí),內部狀態(tài)機自動(dòng)監測圖像幀的開(kāi)始位置并將一幀中的幾行數據寫(xiě)入“輸入FIFO”,當此FIFO達到一次猝發(fā)操作數據量2KB時(shí),狀態(tài)機發(fā)出DDR寫(xiě)命令到下一層,并一次性讀完輸入FIFO的數據。圖像數據連續向“輸入FIFO”輸入,狀態(tài)機不間斷地檢測“輸入FIFO”的編程狀態(tài)信號并發(fā)出DDR寫(xiě)命令。由于圖像數據存在行場(chǎng)消隱期以及DDR的行猝發(fā)寫(xiě)操作效率高,因此在一定的像素時(shí)鐘條件下不會(huì )出現數據堵塞情況。

當用戶(hù)發(fā)出讀出命令時(shí),狀態(tài)機自動(dòng)檢測“輸入FIFO”的狀態(tài),在可編程空信號有效時(shí)一次性向“輸出FIFO”輸入2KB數據,此時(shí)“輸出FIFO”輸出數據有效信號以提示用戶(hù)可以進(jìn)行數據讀取。用戶(hù)從DDR讀出數據操作實(shí)際上就是對FIFO的讀操作,因此用戶(hù)只需要提供讀FIFO使能信號以及讀FIFO時(shí)鐘就可以將DDR內部的數據依次讀出。當用戶(hù)快要將FIFO的數據讀空的時(shí)候,狀態(tài)機發(fā)出讀命令從DDR存儲器中一次性讀出2KB數據存入“輸出FIFO”中,由于DDR讀的峰值速度高達400MB/s(100MHz×2B×2),而用戶(hù)接口讀速率一般不超過(guò)這個(gè)值,因此不會(huì )出現數據堵塞情況。
該模塊完成了用戶(hù)接口、圖像輸入、控制器三個(gè)時(shí)鐘域的設計,極大地簡(jiǎn)化了用戶(hù)接口的操作。良好的功能模塊化劃分,使得用戶(hù)只需按照具體要求對圖像輸入接口進(jìn)行簡(jiǎn)單修改便可實(shí)現對于任何數據源的緩存,拓寬了該緩存技術(shù)的應用范圍。
1.4 時(shí)鐘管理單元模塊
  本設計DDR控制器時(shí)鐘頻率[4]為100MHz,在各模塊中時(shí)鐘相位可以不同。因此時(shí)鐘管理模塊對時(shí)鐘輸入信號進(jìn)行90°、180°、270°等相移,設計中可以采用FPGA的數字時(shí)鐘管理單元(DCM)。該模塊產(chǎn)生復位信號,當上電復位該模塊自動(dòng)檢測復位信號,并延遲200μs產(chǎn)生控制器所需要的復位信號。


2 性能測試
  使用VHDL語(yǔ)言[5]在ISE7.1i軟件環(huán)境下完成整個(gè)模塊的設計,綜合后共占14%的芯片Slice資源,最高時(shí)鐘頻率可達156.5MHz。在Xilinx的VirtexIIpro硬件平臺上加載測試,硬件平臺中使用的DDR為Micron公司的MT46V32M16芯片,晶振為100MHz。
  為測試該設計的最高平均緩存速度,采用邏輯分析儀采集控制器內部工作時(shí)的數據傳輸狀態(tài)。發(fā)現一行數據的猝發(fā)共需要512個(gè)時(shí)鐘周期,而刷新、充電、狀態(tài)等待等時(shí)鐘開(kāi)銷(xiāo)只需要不到50個(gè)時(shí)鐘周期,因此,實(shí)際平均數據吞吐量為理論峰值速率400MB/s×512/(512+50)≈360MB/s。
  為測試該圖像緩存的數據記錄的完整性,向該模塊輸入模擬產(chǎn)生的相機數據。8位灰度圖像大小為512×512,圖4為從DDR器件中讀出的緩存圖像。

本文設計并實(shí)現了一種DDR的圖像緩存。創(chuàng )新地采用了行猝發(fā)操作以提高數據吞吐量。在100MHz的時(shí)鐘條件下實(shí)現峰值傳輸速率400MB/s、最大平均傳輸速率360MB/s的圖像緩存。在提高時(shí)鐘頻率的情況下數據傳輸率還有上升空間。同時(shí)用戶(hù)可根據需求對輸入接口進(jìn)行修改以應用于特殊要求的數據緩存,應用廣泛。


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