十大新興技術(shù)展望：塑料內存可重復讀寫(xiě)

事實(shí)上，《EE Times》早在2006年便對這家默默無(wú)聞的公司進(jìn)行過(guò)報道。另外，4DS、Qs Semiconductor與Adesto Technologies等公司同樣在今年取得了不小的進(jìn)步。我們還看到許多較大規模的IDM廠(chǎng)商也在加大對電阻式內存(RRAM)方面的投入。值得一提 的還有憶阻器技術(shù)的發(fā)展，因為在電阻特性方面展現出存儲效應的兩個(gè)終端設備，是對惠普實(shí)驗室倡導的憶阻器理論基礎的實(shí)踐應用。憶阻器常常被認為是繼電阻 器、電容器和電感器之后的第四個(gè)無(wú)源電器元件。

9.直通硅晶穿孔

先進(jìn)硅芯片表面最上方的互連堆疊(interconnect stack)很深，而且會(huì )隨最低幾何限度有顯著(zhù)的差異。我們一直認為這可能會(huì )導致芯片前段(front-end)制造分成不同表面和互連(緊隨更高的互連 堆疊)，甚至可能在不同的芯片制造商存在。出于市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)和技術(shù)方面的原因，這種將多裸晶(multiple die)堆疊在一個(gè)包裝內的渴望還需要更復雜的互連;而直通硅晶穿孔技術(shù)(through-silicon-vi)能完全穿透硅晶片或裸晶，是制造3D包 裝的關(guān)鍵。2009年5月，Austriamicrosystems公司開(kāi)始在工廠(chǎng)生產(chǎn)TSV組件，客戶(hù)群體是將CMOS集成電路與傳感器組件等進(jìn)行3D 整合的廠(chǎng)商。這樣的組件在2010年估計會(huì )有更多。

10.花樣翻新的電池技術(shù)

我們現在已經(jīng)完全適應了摩爾定律和微電子產(chǎn)品小型化的趨勢，于是很容易對任何性能無(wú)法每隔兩年就大大增強的技術(shù)倍感失望。但是，電池技術(shù)已相對成 熟，不像集成電路一樣受同一力量的驅動(dòng)。事實(shí)上，如果能量存儲過(guò)于密集，會(huì )變成十分危險的事情。盡管如此，我們越來(lái)越依賴(lài)于電池去儲存能量，為各種各樣的電子裝置供電。毋庸置疑，如果電子技術(shù)不能進(jìn)一步取得突破，環(huán)保的電動(dòng)車(chē)注定不會(huì )再有未來(lái)，汽車(chē)和可持續發(fā)展環(huán)保技術(shù)的結合也是一句空話(huà)。

我們面臨的壓力可想而知。近年來(lái)，以鎳和鋰為原料(如鋰鐵磷酸鹽)的電池研究取得了一定進(jìn)展，有望取代值得尊敬但問(wèn)題多多的堿性錳干電池。從事可充 電式鋅空氣(zinc-air)電池開(kāi)發(fā)的公司ReVolt已將俄勒岡州波特蘭市作為其在美國的總部和生產(chǎn)基地。我們估計在2010年會(huì )有更多具備智能功 能的電池問(wèn)世，為開(kāi)發(fā)能量可控的集成電路提供機遇。