相變存儲器的高可靠性多值存儲設計

由于監測某一數據位是否出錯的過(guò)程不依賴(lài)其他數據位，因此該方法可以實(shí)現傳統方法難以實(shí)現的“全部數據位的錯誤監測(all-error-detection ，AED) ”。 錯誤監測通過(guò)外圍2 個(gè)如圖6 所示的S/A 及相關(guān)的比較電路實(shí)現:一個(gè)S/A 使用各“禁區”的下限值(1/g ，1/e ，1/c ，1/a ，b ，d ，f ) 與阻值比進(jìn)行比較：另個(gè)S/A 使用相應的上限值(1/f ，1/d ，1/c ，a ，c ，e ，g) 與阻值比進(jìn)行比較。 當某一“禁區”的2 個(gè)邊界值(如a 和1/a) 與阻值比相比較的結果不同時(shí)，即說(shuō)明此時(shí)的阻值比已落入該禁區( a 和1/a 對應禁區[1/a ，a ]) ，則可能的原狀態(tài)只可能為與該禁區緊鄰的2 狀態(tài)之一(禁區為[1/a ，a ] ，則可能的2 狀態(tài)為R2/R1 或R1/R2) 。 后繼ECC 電路再由此縮小的范圍繼續判斷，電路復雜度將大大簡(jiǎn)化(具體電路這里略) 。 正常狀態(tài)的比較結果見(jiàn)表2。

表2 　帶有ECC電路時(shí)的輸出狀態(tài)的真值表