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用于相變存儲器的GeSbTe MOCVD共形淀積

  • 為了達到PCM改進(jìn)高性能/高密度發(fā)展進(jìn)程中的下一個(gè)里程碑，正在采用的一個(gè)途徑是在截面尺寸10-100nm的高深寬比 ...
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相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)簡(jiǎn)介

  • 相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)簡(jiǎn)介,相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過(guò)比較PCM與現有的SLC和MLC NAND快閃存儲器以及硬碟驅動(dòng)器(HDD) 和固態(tài)硬碟(SSD)等系統解決方案，*估PCM的相對成本、效能和可靠度，可以了解PCM適用于哪里些應用領(lǐng)域，
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相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)的比較分析

  • 相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)的比較分析,　相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過(guò)比較PCM與現有的SLC和MLC NAND快閃存儲器以及硬碟驅動(dòng)器(HDD) 和固態(tài)硬碟(SSD)等系統解決方案，*估PCM的相對成本、效能和可靠度，可以了解PCM適用于哪里些應用領(lǐng)域
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  分析  比較  PCM  相變  技術(shù)  

相變存儲器--非易失性計算機存儲器技術(shù)介紹

  • 相變存儲器--非易失性計算機存儲器技術(shù)介紹,相變存儲器(可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM)是一種新興的非易失性計算機存儲器技術(shù)。它可能在將來(lái)代替閃存，因為它不僅比閃存速度快得多，更容易縮小到較小尺寸，而且復原性更好，能夠實(shí)現一億次以上的擦寫(xiě)次數。本文
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相變存儲器的高可靠性多值存儲設計

  • 摘要：基于相變存儲器(PCM) 已有的2T2R 結構，提出一種以比值為導向的狀態(tài)定義方法，以實(shí)現2T2R 結構下PCM 的多值存儲。它在相變電阻具有4 態(tài)可編寫(xiě)的能力下，可以實(shí)現單元內8 態(tài)存儲，同時(shí)對小尺寸驗證，而對PCM 存
  • 關(guān)鍵字： 設計  存儲  可靠性  存儲器  相變  

實(shí)現全新存儲器使用模型的新型存儲器--相變存儲器

  • 實(shí)現全新存儲器使用模型的新型存儲器--相變存儲器,從下面的幾個(gè)重要特性看，相變存儲器（PCM）技術(shù)均符合當前電子系統對存儲器子系統的需求：容量
    ndash; 因為消費電子、計算機、通信三合一的應用趨勢，所有電子系統的代碼量都以?xún)缰笖档乃俾试鲩L(cháng)，數據增長(cháng)速率甚
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  新型  相變  模型  使用  全新  實(shí)現  

相變存儲器(PCM)單元中儲存多個(gè)位元的方法

  • 相變存儲器(PCM)單元中儲存多個(gè)位元的方法,BM蘇黎世研究中心的科學(xué)家們日前表示，已經(jīng)發(fā)現能夠可靠地在相變存儲器(PCM)單元中儲存多個(gè)位元的方法。該小組采用90nm工藝技術(shù)，在200k單元陣列中實(shí)現了每存儲單元為四層(2位元)，并表示已開(kāi)發(fā)出一種編碼方法，能克
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一種相變存儲器的驅動(dòng)電路設計

  • 引言　　相變存儲器（PC2RAM）是一種新型半導體存儲器，在研發(fā)下一代高性能不揮發(fā)存儲技術(shù)的激烈競爭中，PC2RAM在讀寫(xiě)速度、讀寫(xiě)次數、數據保持時(shí)間、單元面積、功耗等方面的諸多優(yōu)勢顯示了極大的競爭力，得到了較快
  • 關(guān)鍵字： 電路設計  驅動(dòng)  存儲器  相變  

相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)的比較

  • 相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)的比較,　　相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過(guò)比較PCM與現有的SLC和MLC NAND快閃存儲器以及硬碟驅動(dòng)器(HDD) 和固態(tài)硬碟(SSD)等系統解決方案，*估PCM的相對成本、效能和可靠度，可以了解PCM適用于哪里些應用領(lǐng)
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  比較  技術(shù)  PCM  相變  

相變存儲器--非易失性計算機存儲器技術(shù)

  • 相變存儲器--非易失性計算機存儲器技術(shù),　　相變存儲器(可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM)是一種新興的非易失性計算機存儲器技術(shù)。它可能在將來(lái)代替閃存，因為它不僅比閃存速度快得多，更容易縮小到較小尺寸，而且復原性更好，能夠實(shí)現一億次以上的擦寫(xiě)次數。
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  技術(shù)  計算機  易失性  相變  

相變存儲器：能實(shí)現全新存儲器使用模型的新型存儲器

  • 相變存儲器：能實(shí)現全新存儲器使用模型的新型存儲器,從下面的幾個(gè)重要特性看，相變存儲器（PCM）技術(shù)均符合當前電子系統對存儲器子系統的需求： 容量
    C 因為消費電子、計算機、通信三合一的應用趨勢，所有電子系統的代碼量都以?xún)缰笖档乃俾试鲩L(cháng)，數據增長(cháng)速率甚至更
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日立與瑞薩開(kāi)發(fā)1.5V相變存儲模塊

  • 日立有限公司與瑞薩科技（Renesas）宣布，為了滿(mǎn)足新一代高密度片上非易失性存儲技術(shù)的需求，雙方共同開(kāi)發(fā)出了運行于1.5V電源電壓的512KB（相當于4Mb）相變存儲模塊，該器件能夠實(shí)現416KB/s的寫(xiě)入速度和20ns的讀取時(shí)間。利用以前開(kāi)發(fā)的100μA（Micro[注1]安培）寫(xiě)入操作電流的“低功耗相變存儲單元”，兩家公司在新模塊中開(kāi)發(fā)了一種可以實(shí)現高速讀寫(xiě)操作的外設電路技術(shù)。      日立和瑞薩以前開(kāi)發(fā)過(guò)一種低功耗操作相變存儲器，它在界面層使用了
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