IBM、特許半導體、英飛凌和三星推出采用45納米工藝制造的首批芯片

　　IBM、特許半導體、英飛凌科技和三星近日聯(lián)合推出四方合作采用45納米低功耗工藝制造的首批芯片，并開(kāi)始供應設計套件。關(guān)鍵設計元素的早期硅化，加上首批設計套件，能夠讓設計者率先演進(jìn)至這個(gè)由行業(yè)領(lǐng)先的CMOS工藝研發(fā)聯(lián)盟研制的最新工藝。首批設計套件是四大公司聯(lián)合打造的，現已開(kāi)始供貨。 　　  

　　這批首次采用45納米工藝制造的面向下一代通信系統的工作電路，擁有成熟的硅性能，運用了聯(lián)盟伙伴聯(lián)合開(kāi)發(fā)的工藝。這批芯片在聯(lián)合開(kāi)發(fā)團隊的駐地——IBM設在紐約州East Fishkill的300毫米晶圓工廠(chǎng)生產(chǎn)。已成功通過(guò)驗證的功能塊，有英飛凌提供的標準庫元件、輸入/輸出元件，還有聯(lián)盟開(kāi)發(fā)的嵌入式存儲器。英飛凌已在首批300毫米晶圓上實(shí)現了特殊電路，以測試這個(gè)復雜的工藝，并取得產(chǎn)品架構互動(dòng)方面的初步經(jīng)驗。 　　  

　　首批設計套件融合了四方的設計專(zhuān)長(cháng)，能夠幫助客戶(hù)更早轉換至新的工藝，同時(shí)繼續推動(dòng)單設計、多晶圓廠(chǎng)制造能力，從而最有效地發(fā)揮他們的設計優(yōu)勢，并最終為消費者帶來(lái)實(shí)實(shí)在在的利益
。45納米低功耗工藝，預期將于2007年底在特許半導體 、IBM和三星的300毫米晶圓廠(chǎng)安裝并得到全面鑒定。 　  

　　“首批45納米產(chǎn)品的速度、創(chuàng )新性和完備性，充分展示了四大公司之間的合作力量，能夠為客戶(hù)帶來(lái)更高的價(jià)值。我們的初期硬件測試結果顯示，45納米結點(diǎn)器件的性能，至少比65納米結點(diǎn)器件高出30%。產(chǎn)品開(kāi)發(fā)人員可以充滿(mǎn)信心地利用該設計工藝，”IBM半導體研發(fā)部副總裁兼聯(lián)合開(kāi)發(fā)聯(lián)盟主管Lisa Su說(shuō)，“憑借這個(gè)由行業(yè)領(lǐng)袖組成的聯(lián)盟在世界各地的優(yōu)良研發(fā)資源和大量的知識資產(chǎn)，我們能夠比單兵作戰更快、更有效地向客戶(hù)和市場(chǎng)推出新的制造工藝和設計?？蛻?hù)可獲得的另一個(gè)好處是靈活性——他們可以對這項工藝進(jìn)行評估，因為GDSII具有廣泛的兼容性?！?

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