東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布通過(guò)“MOSFET”擴充移動(dòng)設備鋰離子電池和電源管理開(kāi)關(guān)專(zhuān)用保護電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造，實(shí)現了低導通電阻，可減少設備的傳導損失。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/158932.htm
主要特性
采用第八代工藝打造，實(shí)現低導通電阻
采用TSON Advance封裝，具有很好的導熱性
高雪崩電阻
主要規格
離子色譜儀相關(guān)文章:離子色譜儀原理
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