應用材料公司發(fā)布高性能晶體管創(chuàng )新外延技術(shù)

　　新的NMOS（N型金屬氧化物半導體）外延沉積工藝對下一代移動(dòng)處理器芯片內更快的晶體管至關(guān)重要

　　 應用材料公司在A(yíng)pplied Centura RP Epi系統設備上新開(kāi)發(fā)了一套NMOS晶體管應用技術(shù)，繼續保持其在外延技術(shù)方面十年來(lái)的領(lǐng)先地位。該應用技術(shù)的開(kāi)發(fā)符合行業(yè)在20納米節點(diǎn)時(shí)將外延沉積從PMOS(P型金屬氧化物半導體)向NMOS(N型金屬氧化物半導體)晶體管延伸的趨勢，推動(dòng)芯片制造商打造出更快的終端，提供下一代移動(dòng)計算能力。

　　NMOS外延可將晶體管速度提高半個(gè)器件節點(diǎn)，同時(shí)不增加關(guān)閉狀態(tài)下的功耗

　　“外延是高性能晶體管的基本組成部分，速度提升相當于縮放半個(gè)器件節點(diǎn)。”應用材料公司硅系統事業(yè)部晶體管與金屬化產(chǎn)品副總裁Steve Ghanayem表示，“除了傳統的PMOS 外延以外，通過(guò)實(shí)施NMOS外延工藝，我們能幫助晶圓代工客戶(hù)進(jìn)一步增強用于下一代器件的晶體管性能。”

　　自90納米終端節點(diǎn)以來(lái)，具有即時(shí)摻雜性能的應變選擇性外延膜已經(jīng)改善了PMOS晶體管的遷移率，降低了電阻，從而提高了晶體管的速度。在NMOS 晶體管中采用選擇性外延，具有類(lèi)似的提升作用，能夠增強總體芯片的性能。通過(guò)將這種技術(shù)用于這兩類(lèi)晶體管，應用材料公司推動(dòng)了行業(yè)發(fā)展，以滿(mǎn)足日益增長(cháng)的多功能移動(dòng)產(chǎn)品更快和更高計算能力的需求。這種性能的提升有助于客戶(hù)實(shí)現更先進(jìn)的功能，如提升多任務(wù)和更高品質(zhì)的圖形以及影像處理能力等。

　　Centura RP Epi系統設備是經(jīng)過(guò)生產(chǎn)實(shí)踐證明的PMOS外延應用領(lǐng)域的的領(lǐng)導者。隨著(zhù)今天這項新技術(shù)的推出，該系統的應用范圍如今已涵蓋了NMOS晶體管指定區域薄膜的選擇性沉積。應用材料公司市場(chǎng)領(lǐng)先的專(zhuān)有外延技術(shù)能夠實(shí)現高質(zhì)量應變膜在沉積時(shí)進(jìn)行精準的原子摻雜。嚴格的制造工藝控制帶來(lái)優(yōu)秀的膜性能、均勻性和極低缺陷率。這些特性解決了諸多性能問(wèn)題，包括關(guān)鍵電荷層的電阻率問(wèn)題。

　　對CenturaRPEpi系統設備的市場(chǎng)領(lǐng)導地位發(fā)揮核心作用的是其集成的低溫預清潔Siconi　技術(shù)。在同一個(gè)真空平臺集成預清潔和外延工藝，能夠消除排隊時(shí)間，相較單機獨立系統設備能夠減少界面污染超過(guò)一個(gè)數量級，從而打造純潔的硅表面，實(shí)現無(wú)缺陷外延晶體生長(cháng)。

　　應用材料公司(納斯達克：AMAT)是一家全球領(lǐng)先的高科技企業(yè)。應用材料公司的創(chuàng )新設備、服務(wù)和軟件被廣泛應用于先進(jìn)半導體芯片、平板顯示器和太陽(yáng)能光伏產(chǎn)品制造產(chǎn)業(yè)。我們的技術(shù)使智能手機、平板電視和太陽(yáng)能面板等創(chuàng )新產(chǎn)品以更普及、更具價(jià)格優(yōu)勢的方式惠及全球商界和普通消費者。