飛兆的100V BOOSTPAK解決方案降低了系統成本

　　飛兆半導體公司是高性能功率半導體和移動(dòng)半導體解決方案的全球領(lǐng)先供應商，通過(guò)引入 100 V BoostPak 設備系列優(yōu)化 MOSFET 和二極管選擇過(guò)程，將 MOSFET 和二極管集成在一個(gè)封裝內，代替 LED 電視 / 顯示器背光、LED 照明和 DC-DC 轉換器應用中目前使用的分立式解決方案?！　?/p>本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/146096.htm

 

　　通過(guò)將 MOSFET 和二極管集成到一個(gè)獨立封裝內，FDD1600N10ALZD和FDD850N10LD設備節省了電路板空間，簡(jiǎn)化了裝配，降低了材料清單成本并改進(jìn)了應用的可靠性。兩款產(chǎn)品的詳細資料，請訪(fǎng)問(wèn)：http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3120896和http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3120897。

　　該元件的N溝道MOSFET采用飛兆半導體 PowerTrench^®工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝專(zhuān)用于最小化導通電阻，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能。 NP二極管為超快速整流器，帶低正向導通壓降，具有出色的開(kāi)關(guān)性能。 與肖特基二極管相比，其泄漏電流更低，改進(jìn)了高溫應用中的系統可靠性。

　　主要功能：

　　FDD1600N10ALZD:
　　RDS(ON) = 124 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V，ID = 3.4 A
　　RDS(ON) = 175 mΩ(典型值)@ VGS = 5 V，ID = 2.1 A
　　低柵極電荷 = 2.78 nC(典型值)
　　低反向電容 (Crss) = 2.04 pF(典型值)

　　FDD850N10LD:
　　RDS(ON) = 61 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V，ID = 12 A
　　RDS(ON) = 64 mΩ(典型值)@ VGS = 5.0 V，ID = 12 A
　　低柵極電荷 = 22.2 nC(典型值)
　　低反向電容 (Crss) = 42 pF(典型值)

　　都有：
　　快速開(kāi)關(guān)
　　100%經(jīng)過(guò)雪崩測試
　　可提高dv/dt處理能力
　　符合 RoHS 標準