鎂光發(fā)布尺寸小25%的128Gb NAND閃存

　　閃存密度越來(lái)越高帶來(lái)的是更大容量的設備，但是如果要做到更小尺寸怒，那非得減少閃存芯片的面積不可。鎂光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND閃存芯片，采用20納米制程，TLC閃存技術(shù)，裸片面積只有146平方毫米，比目前的MLC芯片尺寸小25%。

　　TLC閃存每單元存儲3bit數據，它更高的密度的代價(jià)是相對較低的寫(xiě)入速度和較差的耐久力，目前只有三星840系列固態(tài)硬盤(pán)使用這種技術(shù)。

　　不過(guò)鎂光也并沒(méi)有將其用在SSD上的打算，128Gb的NAND目前只會(huì )用于可移動(dòng)存儲市場(chǎng)，例如SD和USB閃存驅動(dòng)器，這樣可以進(jìn)一步提升這些設備的容量。

　　預計美光將在下一季度開(kāi)始量產(chǎn)這款芯片。