中微公司發(fā)布新一代等離子刻蝕設備

　　近日，中微半導體發(fā)布了兩款新一代刻蝕設備。

　　新設備中的第一款是Primo SSC AD-RIE(“單反應器甚高頻去耦合反應離子介質(zhì)刻蝕機”)，可應用于最先進(jìn)的存儲芯片和邏輯芯片的加工生產(chǎn)，包括2x納米及1x納米代高深寬比接觸孔刻蝕、溝槽及接觸孔刻蝕、串行刻蝕(在單反應器中實(shí)現多步操作)。Primo SSC AD-RIE擁有獨特的創(chuàng )新設計，能夠在工藝控制方面實(shí)現前所未有的靈活性，并能幫助芯片生產(chǎn)商在確保芯片加工質(zhì)量的同時(shí)達到更高的產(chǎn)出效率。

　　另一款，12英寸硅通孔刻蝕設備Primo TSV300E?，拓展了原有的8英寸硅刻蝕產(chǎn)品Primo TSV200E?的能力，可用于多種硅深孔及深槽刻蝕。公司的8英寸硅通孔刻蝕設備Primo TSV200E?獲得業(yè)界認可，已被亞洲眾多客戶(hù)用于先進(jìn)系統封裝、2.5維封裝和微機電系統芯片的生產(chǎn)。中微第一臺Primo TSV300E?設備已在國內領(lǐng)先的晶圓封裝廠(chǎng)運轉。

　　這兩種設備強化了中微公司產(chǎn)品布局，為全球芯片生產(chǎn)商應對半導體工藝的挑戰提供了更多、更新、更好的解決方案。