中微半導體堅持自主創(chuàng )新 8年申請超過(guò)800件相關(guān)專(zhuān)利

　　筆者從5月23日在北京舉行的02重大專(zhuān)項成果發(fā)布會(huì )上了解到，過(guò)去九年中，中微半導體通過(guò)先后承擔并圓滿(mǎn)完成65-45納米、32-22納米、22-14納米等三項等離子介質(zhì)刻蝕設備產(chǎn)品研制和產(chǎn)業(yè)化的02專(zhuān)項任務(wù)，使我國在該項設備領(lǐng)域中的技術(shù)基本保持了與國際先進(jìn)水平同步。

　　中微半導體率先開(kāi)發(fā)了包括甚高頻去耦合反應離子刻蝕的等離子體源和雙反應臺的反應腔等一系列完全自主創(chuàng )新的設計，使之與國外同類(lèi)設備相比，在產(chǎn)能、潔凈室面積占用和設備擁有成本等重要指標上都具有約30%的優(yōu)勢。中微半導體高效、好用的介質(zhì)刻蝕設備不但支持了國內制造企業(yè)從65納米到28納米技術(shù)代的發(fā)展，而且已經(jīng)在國際市場(chǎng)上，在各個(gè)技術(shù)節點(diǎn)上都與世界最先進(jìn)的設備廠(chǎng)商競爭。

　　目前中微半導體已經(jīng)有460多個(gè)介質(zhì)刻蝕反應臺在海內外27條生產(chǎn)線(xiàn)上高質(zhì)穩定的生產(chǎn)了4000多萬(wàn)片晶圓。中微半導體在臺積電的研發(fā)線(xiàn)上正在進(jìn)行5納米的刻蝕開(kāi)發(fā)和核準。

　　在02專(zhuān)項的支持下，中微半導體還開(kāi)發(fā)了12英寸的電感型等離子體ICP刻蝕機，達到了刻蝕的線(xiàn)寬均勻性3sigma小于1納米的精確程度，已經(jīng)在中芯國際北京生產(chǎn)線(xiàn)的評價(jià)中得到了很好的結果，并將在多個(gè)國際一流和生產(chǎn)線(xiàn)試運行。

　　中微半導體還開(kāi)發(fā)了8英寸和12英寸TSV硅通孔刻蝕設備，產(chǎn)品不但占有了約50%的大陸市場(chǎng)，而且已經(jīng)進(jìn)入了臺灣、新加坡、日本和歐洲市場(chǎng)。特別是在國際MEMS傳感器最領(lǐng)先的博世(BOSCH)和意法半導體(STM)進(jìn)入大生產(chǎn)，比美國的刻蝕設備有更好的表現。

　　對照專(zhuān)項實(shí)施之前我國幾近空白的高端半導體裝備產(chǎn)業(yè)，中微半導體所取得的02專(zhuān)項成果具有高度自主創(chuàng )新的內涵和不斷跨越式發(fā)展的特征。美國因此不得不承認繼續限制向中國出口高端刻蝕設備已經(jīng)“達不到其目的了”，并正式聲明，從瓦森納協(xié)定的軍民兩用出口限制清單中將刻蝕設備移除。

　　中微半導體介質(zhì)刻蝕機的開(kāi)發(fā)，還帶動(dòng)了國內材料產(chǎn)業(yè)的本土化發(fā)展，中微半導體刻蝕設備材料國產(chǎn)化率達到35%，已開(kāi)發(fā)了20多個(gè)國內的反應器和系統主機加工等供應廠(chǎng)商，加工能力和質(zhì)量達到了國際先進(jìn)水平。

　　知識產(chǎn)權從來(lái)都是先進(jìn)企業(yè)用來(lái)圍堵后發(fā)者的利器。因此，知識產(chǎn)權斗爭的激烈程度也是后發(fā)者是否成功的標記。

　　中微半導體在近八年中在全世界共申請了超過(guò)800件相關(guān)專(zhuān)利，其中絕大部分是發(fā)明專(zhuān)利，目前有一半以上已獲授權。中微半導體堅持自主創(chuàng )新，但在公司的產(chǎn)品威脅到早已瓜分完畢的既定市場(chǎng)時(shí)，不可避免的遭到來(lái)自競爭對手的知識產(chǎn)權阻擊。美國最大的兩家半導體設備公司曾先后向中微提起知識產(chǎn)權訴訟。中微半導體都沉著(zhù)應對，據理力爭，最后的結果是中微半導體勝訴一起，另一起以“和解”結束。