中微公司將發(fā)布新一代等離子刻蝕設備

　　今年IC China(一年一度在上海舉辦的業(yè)內知名半導體展會(huì )和論壇)展會(huì )期間，先進(jìn)的設備制造商 -- 中微半導體設備(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中微公司”)，將于本周三在上海世博展覽館，就其設計創(chuàng )新、技術(shù)領(lǐng)先的新一代刻蝕設備產(chǎn)品舉辦新聞發(fā)布會(huì )。屆時(shí)，中微公司董事長(cháng)兼首席執行官尹志堯博士將介紹公司產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的最新進(jìn)展;中微公司資深技術(shù)專(zhuān)家將在會(huì )上介紹公司研發(fā)部門(mén)開(kāi)發(fā)成功的兩款新一代刻蝕設備。

　　新設備中的第一款是Primo SSC AD-RIE(“單反應器甚高頻去耦合反應離子介質(zhì)刻蝕機”)，可應用于最先進(jìn)的存儲芯片和邏輯芯片的加工生產(chǎn)，包括2x納米及1x納米代高深寬比接觸孔刻蝕、溝槽及接觸孔刻蝕、串行刻蝕(在單反應器中實(shí)現多步操作)。Primo SSC AD-RIE擁有獨特的創(chuàng )新設計，能夠在工藝控制方面實(shí)現前所未有的靈活性，并能幫助芯片生產(chǎn)商在確保芯片加工質(zhì)量的同時(shí)達到更高的產(chǎn)出效率。

　　另一款，12英寸硅通孔刻蝕設備Primo TSV300E(R)，拓展了原有的8英寸硅刻蝕產(chǎn)品Primo TSV200E(R)的能力，可用于多種硅深孔及深槽刻蝕。公司的8英寸硅通孔刻蝕設備Primo TSV200E(R)獲得業(yè)界認可，已被亞洲眾多客戶(hù)用于先進(jìn)系統封裝、2.5維封裝和微機電系統芯片的生產(chǎn)。中微第一臺Primo TSV300E(R)設備已在國內領(lǐng)先的晶圓封裝廠(chǎng)運轉。

　　這兩種設備強化了中微公司產(chǎn)品布局，為全球芯片生產(chǎn)商應對半導體工藝的挑戰提供了更多、更新、更好的解決方案。

　　中微公司董事長(cháng)兼首席執行官尹志堯認為，IC China是一個(gè)極有價(jià)值的平臺，非常適合新技術(shù)產(chǎn)品發(fā)布。他表示：“作為中國起步最早的半導體展會(huì )，IC China對國內外的技術(shù)專(zhuān)家和企業(yè)領(lǐng)導人具有極大的吸引力，同時(shí)為半導體制造前沿技術(shù)的深入討論提供了平臺。我們很高興能在這次展會(huì )上發(fā)布中微新一代刻蝕設備。這些設備都具有領(lǐng)先的獨特創(chuàng )新，能夠解決隨著(zhù)技術(shù)進(jìn)步和材料深度整合出現的新的技術(shù)障礙。這些設備也能為芯片生產(chǎn)商帶來(lái)顯著(zhù)的成本競爭優(yōu)勢，創(chuàng )造更多價(jià)值。”

　　Primo SSC AD-RIE具有卓越的工藝控制靈活性，帶來(lái)更高產(chǎn)能及更佳芯片加工結果

　　Primo SSC AD-RIE是中微公司最新的介質(zhì)刻蝕設備。它在中微和國際領(lǐng)先的半導體芯片制造商的合作中開(kāi)發(fā)而成，能夠實(shí)現超高產(chǎn)能、最好的芯片加工質(zhì)量和芯片刻蝕技術(shù)可延展性等嚴苛的技術(shù)目標。該設備的晶圓傳遞平臺可配置多達6個(gè)單芯片加工反應器，每個(gè)反應器可以獨立地優(yōu)化加工條件，以實(shí)現不同工藝控制的靈活性。每個(gè)反應器的分子泵有極高的抽速，對包括壓力、流量、射頻功率以及溫度在內的重要參數有很好的調節作用，而并行工藝精確控制能實(shí)現反應器之間的良好匹配度。更佳的反應器之間匹配能夠提高刻蝕的重復性，從而提高生產(chǎn)效率。

　　采用Primo SSC AD-RIE，客戶(hù)可以得到更先進(jìn)的工藝、卓越的芯片加工性能、技術(shù)可延展性和成本競爭優(yōu)勢。

　　Primo SSC AD-RIE特點(diǎn)和優(yōu)勢

　　-- 超高速渦輪分子泵和大抽氣通道，可以產(chǎn)生高流量、低壓力，有利于高深寬比(HAR)刻蝕;

　　-- 極高功率的低頻射頻偏壓電源。7kW 2MHz偏壓功率可以提供更高的離子能量，結合可以選配的脈沖射頻功率電源一起，可以提高在高深寬比(HAR)刻蝕中各向異性刻蝕的性能;

　　-- 配備較大的射頻接地面積、產(chǎn)生更高的直流偏壓，可以產(chǎn)生更高的離子能量和更佳的刻蝕方向性;

　　-- 雙區控溫的靜電吸盤(pán)配有雙區溫控設備，可以提高溫度和均勻性控制，并且更有效地散熱;

　　-- 除三區的氣體分布系統(中心、邊緣和極端邊緣)和配備兩路可以獨立控制中心、邊緣和極端邊緣區域精細調整的氣體，再結合雙區控溫的靜電吸盤(pán)一起，產(chǎn)品反應器可以實(shí)現關(guān)鍵尺寸均勻性的精密控制;

　　-- 選配的硅片邊緣工藝套件，可以提高硅片極端邊緣的刻蝕均勻性，實(shí)現更好的關(guān)鍵尺寸均勻性和更優(yōu)化的刻蝕剖面，提高整體硅片良率。

　　Primo TSV300E(R)：用于硅深孔刻蝕的先進(jìn)刻蝕設備

　　Primo TSV300E(R)不僅擁有前一代設備TSV200E(R)的技術(shù)創(chuàng )新點(diǎn)，還拓展了工藝范圍。具有雙反應臺的反應器既可以單獨加工單個(gè)晶圓片，又可以同時(shí)加工兩個(gè)晶圓片。該刻蝕設備可安裝多達6個(gè)加工反應臺(即3個(gè)雙反應器)，這使得芯片產(chǎn)出能力幾乎翻了一倍，并降低了加工成本，對于注重節省成本的客戶(hù)來(lái)說(shuō)無(wú)疑是不二之選。

　　區別于Primo TSV200E(R)，Primo TSV300E(R) 配備了高效能冷卻系統的5kW高功率電源，可以提高工藝的調整能力，同時(shí)它還具有獨特的氣體快速切換裝置，可以使通孔刻蝕的側壁更加光滑。產(chǎn)品應用了電感耦合等離子體源，反應器可以用于深硅刻蝕和非博世工藝。

　　Primo TSV300E(R)還有一項重要的技術(shù)創(chuàng )新點(diǎn)，它可以和中微的Primo D-RIE(R)刻蝕設備靈活結合，混合配置出具備在同一平臺進(jìn)行等離子體刻蝕和TSV硅通孔刻蝕能力的設備。這種靈活的安排帶來(lái)了技術(shù)最優(yōu)化和成本的競爭優(yōu)勢。

　　Primo TSV300E(R)特點(diǎn)和優(yōu)勢

　　-- 配備高效能冷卻系統的5kW功率射頻電感耦合等離子體源功率電源，可以提高工藝的調整能力;

　　-- 有自主知識產(chǎn)權的氣體分布系統，可以在寬廣的工藝范圍內顯著(zhù)提高刻蝕均勻性;

　　-- 獨特的氣體快速切換裝置，可以使通孔刻蝕的側壁更加光滑;

　　-- 400KHz脈沖式和連續的偏壓射頻電源，可以消除刻蝕工藝過(guò)程中產(chǎn)生的通孔形狀的畸變，同時(shí)擴展工藝的可調性，提高設備性能的可預見(jiàn)性;

　　-- 反逆流屏蔽環(huán)可以均衡等離子體屏蔽，防止氣體反應后反向擴散;

　　-- 尺寸可變的氣體集聚環(huán)可以?xún)?yōu)化刻蝕均勻性，同時(shí)拓寬工藝窗口和范圍。

　　IC China半導體展會(huì )和論壇將于2012年10月23日至25日在上海世博展覽館1號館舉辦，中微公司除將召開(kāi)技術(shù)創(chuàng )新和領(lǐng)導人會(huì )議外，IC China展會(huì )期間還在B04展位設有展臺，歡迎蒞臨參觀(guān)。