Vishay的17款新器件擴充600V N溝道功率MOSFET系列
—— 新的E系列器件具有低至39m?的導通電阻和7A～73A電流，采用的超級結技術(shù)可實(shí)現低FOM和高功率密度，具有8種封裝
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時(shí)間：2012-10-24
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件，將該系列MOSFET在10V下的導通電阻擴展到39m?～600m?，將最高電流等級擴展至7A～73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超級結技術(shù)，使公司進(jìn)入使用功率轉換技術(shù)的增量市場(chǎng)，包括照明、適配器和高功率可再生能源系統。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/138044.htm
當前發(fā)布的器件使600V E系列MOSFET的器件數量增加到27個(gè)。所有的E系列器件都具有超低的導通電阻和柵極電荷，可實(shí)現極低的傳導損耗和開(kāi)關(guān)損耗，從而在功率因數校正、服務(wù)器和通信電源系統、焊接、不間斷電源(UPS)、電池充電器、LED照明、半導體生產(chǎn)設備、適配器和太陽(yáng)能電池逆變器等高功率、高性能的開(kāi)關(guān)應用中節約能源。
器件可承受雪崩和通信模式中的高能脈沖，保證通過(guò)100% UIS測試時(shí)達到極限條件。MOSFET符合RoHS指令?！ ?/p>
這些新款功率MOSFET現可提供樣品，量產(chǎn)訂貨的供貨周期為十六周到十八周。
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