28nm TD－LTE芯片技術(shù)日漸成熟

　　在2012年中國國際信息通信展上，記者發(fā)現TD-LTE在TD-SCDMA奠定的技術(shù)、產(chǎn)業(yè)基礎上快速發(fā)展，已經(jīng)構建起以我國企業(yè)為主、國際廠(chǎng)商廣泛支持的端到端產(chǎn)業(yè)鏈。終端芯片方面，已有超過(guò)17家國內外知名企業(yè)投身TD-LTE產(chǎn)業(yè)，其中Marvell、創(chuàng )毅視訊、中普微電子、展訊、聯(lián)芯科技等廠(chǎng)商在本屆展會(huì )上推出了一系列支持TD-LTE的芯片產(chǎn)品。此前，多模芯片的開(kāi)發(fā)，單芯片解決方案的推出，28nm工藝的實(shí)現等一直是TD-LTE終端產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的技術(shù)瓶頸，在本屆展會(huì )上可以發(fā)現，隨著(zhù)芯片廠(chǎng)商的努力，相關(guān)難點(diǎn)正在逐步被攻克，TD-LTE商用化的腳步正逐漸臨近。

　　多模芯片為展示重點(diǎn)

　　TD-LTE技術(shù)在未來(lái)移動(dòng)通信領(lǐng)域，特別是移動(dòng)寬帶領(lǐng)域有廣闊的發(fā)展前景，全球很多運營(yíng)商都對TD-LTE技術(shù)表現出非常大的興趣。TD-LTE的成功需要三大要素，即網(wǎng)絡(luò )、終端和內容應用，而芯片又是終端產(chǎn)品的核心。為了滿(mǎn)足不同運營(yíng)商在LTE網(wǎng)絡(luò )引入后對語(yǔ)音業(yè)務(wù)支持的要求，芯片需要支持語(yǔ)音解決方案，由于LTE不承載語(yǔ)音業(yè)務(wù)，語(yǔ)音通訊是下放到2G、3G來(lái)解決的，因此必須采用多模芯片。多模芯片也就成為T(mén)D-LTE發(fā)展的重點(diǎn)。

　　本屆展會(huì )上，各家芯片廠(chǎng)商也把著(zhù)力點(diǎn)放在TD-LTE多模芯片的展示上。在TD產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的展臺上，展訊展示了一款其開(kāi)發(fā)的TD-LTE芯片SC9610。該單產(chǎn)品采用40nmCOMS工藝，在單芯片內集成多模標準，包括多頻段的TD-LTE和TD-SCDMA，以及EDGE/GS/GPRS，達到100Mbps下行速度和50Mbps上行速度，支持5M、10M、15M及20MHz信道帶寬和2×2MIMO，可用于高端智能手機和數據卡。此外，重郵信科也展出了支持TD-LTE/TD-SCDMA/EDGE的多模終端解決方案C8310。聯(lián)芯展出了支持TD-LTE/LTEFDD/TD-HSPA/GGE的多模終端解決方案等。

　　對此，MARVELL移動(dòng)產(chǎn)品全球副總裁李春潮表示，多模芯片、多模平臺是一個(gè)趨勢。當然這個(gè)平臺的實(shí)現還有很多挑戰，如果想把多模產(chǎn)品做好，僅把一些IP堆起來(lái)是很難實(shí)現的，這樣的話(huà)芯片面積就會(huì )很大，功耗也會(huì )增加。所以一定要進(jìn)行優(yōu)化，不同的模有一些可以復用。

　　單芯片成發(fā)展趨勢

　　多模LTE智能手機一般需要配備3G芯片和LTE基帶芯片，這樣的架構為功耗優(yōu)化帶來(lái)很大挑戰。系統集成的單芯片將是重要的解決方案，這方面產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)也考驗著(zhù)企業(yè)的能力。

　　對此，中普微電子銷(xiāo)售副總裁許飛表示，不管2G、3G，最后都會(huì )走上單芯片這條路，一款手機體積有限，芯片尺寸將是重要考量，因此必然向單芯片化發(fā)展。李春潮也指出，多模芯片要想做得好，不能光把不同的IP堆出來(lái)。目前，市場(chǎng)上也有越來(lái)越多的廠(chǎng)商致力于開(kāi)發(fā)單芯片產(chǎn)品，如MARVELL在本屆展會(huì )上展出的PXA1802，即為T(mén)D-LTE5模單芯片，可以同時(shí)支持語(yǔ)音和數據雙連接的方案。

　　28nm工藝明年成熟

　　工藝是影響TD-LTE芯片功耗的關(guān)鍵，業(yè)界認為T(mén)D-LTE芯片較為適用28nm工藝，而目前這一工藝尚未成熟。28nm甚至是比14nm更高的半導體制程節點(diǎn)，可使芯片設計面積和相關(guān)功耗得以降低。

　　對此，許飛指出，TD-LTE具有的高速數量吞吐能力，使其功耗會(huì )更大，所以芯片的生產(chǎn)工藝應該往28nm方向發(fā)展。未來(lái)手機傳輸的數據量將越來(lái)越多，對待機的時(shí)長(cháng)也會(huì )提出更高要求，如果吞吐量大幅提高，功耗也會(huì )大幅提升。

　　目前越來(lái)越多的廠(chǎng)商已注意到這一趨勢，比如聯(lián)芯在其技術(shù)演進(jìn)路標中指出，計劃在2012年采用A9雙核，主頻達到1.2GHz，芯片工藝實(shí)現40nm;2013年采用A15雙核和A15四核，主頻達到2.0GHz，芯片工藝實(shí)現28nm;到2014年將采用A15四核處理器，主頻達到2.5GHz，芯片工藝實(shí)現22nm。

　　李春潮也表示，如果4G產(chǎn)品實(shí)現單芯片的話(huà)，28nm確實(shí)是一個(gè)比較好的工藝。當然不是說(shuō)用40nm就無(wú)法實(shí)現單芯片，不過(guò)芯片功耗會(huì )較高，尺寸也會(huì )比較大。

　　TDD與FDD走向融合

　　目前，越來(lái)越多的運營(yíng)商開(kāi)始轉向發(fā)展LTE，對TD-LTE的認知也變得更加理性，中國標準的市場(chǎng)話(huà)語(yǔ)權也在不斷提升。有觀(guān)點(diǎn)認為未來(lái)TDD與FDD將實(shí)現融合。對此，許飛指出，多模共存是一個(gè)比較好的現象。從很多國家的情況來(lái)看，都可能出現兩種網(wǎng)絡(luò )并存的情況。大家都想利用高速網(wǎng)絡(luò )的下載便利和遠程的高速視頻，這些都需要高速寬帶網(wǎng)的支持。全球化的趨勢又使人們有任何一種手機均可在世界各地實(shí)現漫游的需求。今天中國的TD網(wǎng)絡(luò )是全世界最大的網(wǎng)絡(luò )，但是我們手機要走出國門(mén)，可能就享受不到3G服務(wù)。

　　在TD-LTE的時(shí)代如能實(shí)現多標準的互聯(lián)互通，將極大提升用戶(hù)體驗，這也是電信運營(yíng)商的希望。所以FTD和TDD的融合將是一個(gè)發(fā)展趨勢。尤其現在的頻譜已經(jīng)碎片化了，在很多國家要找到對稱(chēng)頻譜，對應FTD-LTE可能會(huì )比較困難。而TD-LTE就沒(méi)有這個(gè)問(wèn)題。所以目前來(lái)講，TD-LTE的商業(yè)程度還稍微落后FDD一點(diǎn)，但是TD-LTE的商用化成熟之后，其非對稱(chēng)頻譜的優(yōu)勢將得到極大體現。