意法半導體發(fā)布先進(jìn)功率MOSFET系列產(chǎn)品

　　橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶體管，助力技術(shù)型企業(yè)滿(mǎn)足日益嚴格的生態(tài)設計標準對功率和能效的要求，瞄準太陽(yáng)能微逆變器、光伏模塊串逆變器和電動(dòng)汽車(chē)等綠色能源應用。

　　新產(chǎn)品包括業(yè)內首個(gè)可承受950V峰值電壓的超結晶體管(MOSFET)、同類(lèi)產(chǎn)品中能效最高的900V晶體管和全球上唯一采用節省空間的PowerFLAT 8x8 HV超薄封裝的850V器件。超結技術(shù)可提高MOSFET管的工作電壓，降低導通電阻-芯片尺寸比，使電源產(chǎn)品在縮減封裝總體尺寸的同時(shí)提高系統可靠性和能效?！　?/p>

　　意法半導體是超結MOSFET(super-junction MOSFETs)的主要供應商，現在開(kāi)始提供目前市場(chǎng)上額定電壓最高的解決方案，同時(shí)還是目前僅有的兩家900V超結晶體管供應商之一。此外，該系列產(chǎn)品不久后將增加800V器件。

　　超結技術(shù)讓世界更環(huán)保

　　在展示SuperMESH 5器件的高能效的同時(shí)，意法半導體還公布了首個(gè)成功應用超高壓MOSFET的客戶(hù)設計的細節。意大利固態(tài)照明創(chuàng )新企業(yè)TCI 在其最新的LED驅動(dòng)器設計中選用LEDIPAK封裝的950V STU6N95K5做主電源，為設計先進(jìn)且功能豐富的LED照明燈供電，使其成為高成本效益的小型LED照明市場(chǎng)的能效標桿。意法半導體功率晶體管產(chǎn)品部市場(chǎng)總監Maurizio Giudice表示：“ 意法半導體最新的SuperMESH 5技術(shù)讓TCI創(chuàng )立了市場(chǎng)上最高的能效和安全系數，為客戶(hù)提供極具吸引力的價(jià)值主張。”

　　意法半導體新的超結MOSFET的其它主要應用包括平板電視、PC電源、LED照明驅動(dòng)器和高壓氣體放電燈(HID)電子鎮流器。MOSFET將讓設計人員能夠達到美國能源之星(Energy Star)和歐盟能源相關(guān)產(chǎn)品(Energy-related Products，ErP)指令等生態(tài)設計標準中日益嚴格的功率上限和能源下限要求。

　　例如，最新的能源之星電視機能效規范(5.3版)提出了更嚴格的生態(tài)設計規定，要求50英寸以及以上的平板電視的最大絕對功率為108.0瓦。另一個(gè)生態(tài)設計標準日益嚴格的例子是，ErP的照明指令提高了2012年至2017年期間制造的各類(lèi)HID燈的能效下限標準。

　　意法半導體的新超結MOSFET耐高壓特性可提高系統安全性和可靠性。對于HID燈鎮流器和其它的以電網(wǎng)或更高電壓為電源的電力應用系統，例如太陽(yáng)能微逆變器和電動(dòng)汽車(chē)充電樁，耐高壓是一個(gè)重要優(yōu)點(diǎn)。為最大限度減少電動(dòng)汽車(chē)的充電時(shí)間和運行成本，充電樁需要極高的功率轉換效率。在微型發(fā)電機逆變器內，高能效的MOSFET讓設計人員能夠使用更高的開(kāi)關(guān)頻率，輸出高質(zhì)量的交流電能，同時(shí)降低能耗和解決方案尺寸。

　　SuperMESH™ 5 MOSFET的主要特性：

　　新推出的MOSFET晶體管是首批采用意法半導體的 SuperMESH™ 5第五代超結技術(shù)的產(chǎn)品。新產(chǎn)品包括采用各種封裝的900V STx21N90K5、950V STx20N95K5和950V STx6N95K5。STL23N85K5 850V采用PowerFLAT 8x8 HV高壓表面貼裝封裝，占位面積為64mm², 比工業(yè)標準的D²PAK封裝小56%。此外，這款產(chǎn)品的安裝高度為1mm，比工業(yè)標準的D²PAK封裝低77%，適用于超薄型應用設計。

　　900V STP21N90K5的靈敏值(Figure of Merit，FOM)反映了該產(chǎn)品接通電源以及導通和關(guān)斷時(shí)的總體能效，比市場(chǎng)上唯一可比產(chǎn)品低62.5%。如果不使用其它品牌而選用STP21N90K5，設計人員即可大幅提高能效?！　?/p>