飛思卡爾技術(shù)論壇中國站展現傳統觀(guān)念與現代技術(shù)相融合

　　概述

　　基于A(yíng)RM Cortex-M0+的Kinetis L系列MCU，將于2012年8月14-15日在飛思卡爾技術(shù)論壇中國站上首次展示。作為市場(chǎng)上首款基于新型ARM Cortex-M0+內核的MCU系列，同時(shí)也是業(yè)界能效最高的MCU，Kinetis L系列反映出當今技術(shù)趨勢的一個(gè)縮影：人們欣喜地看到了傳統觀(guān)念與現代技術(shù)的融合。 傳統入門(mén)級 8位 MCU 的低功耗、低成本和易用性，與先進(jìn)的32位MCU 的高能效、功能集成及更多軟件工具支持相結合。采用Kinetis L系列的諸多應用，如小家電、游戲配件、便攜式醫療系統、音頻系統和電源控制系統等，現在能夠實(shí)現更高的性能，提供更多的功能，同時(shí)不用增加功耗或系統成本。

　　ARM Cortex-M0+內核

　　ARM Cortex-M0+是能效最高的內核，與ARM Cortex-M0內核相比，具有更好的能效、性能和調試功能，同時(shí)保證了所有指令集和工具的完全兼容。該產(chǎn)品的新功能包括：2級管道，該管道可減少每指令周期數 (CPI) ，在基準測試中取得1.77 CoreMark/MHz的高分(而Cortex-M0內核僅為1.62CoreMark/MHz)，對I/O進(jìn)行單周期訪(fǎng)問(wèn)，加快對外部事件的反應速度，從而實(shí)現位拆裂和軟件協(xié)議仿真，與8位和16位MCU相比，代碼密度更高，可縮小閃存尺寸，降低系統成本，另有Micro Trace Buffer這款輕量級跟蹤解決方案提供快速漏洞識別與更正?！　?/p>

 

　　高能效

　　Kinetis L系列基于飛思卡爾屢獲殊榮的90納米薄膜存儲器 (TFS) 技術(shù)，它通過(guò)創(chuàng )新的低功耗 MCU平臺、操作模式和節能外設實(shí)現出色的能效，對Cortex-M0+內核進(jìn)一步予以完善。這些功能相互結合，提供良好的運行和休眠電流，使應用能夠延長(cháng)處于深度休眠模式的時(shí)間，從而最大限度減少CPU活動(dòng)并延長(cháng)電池壽命。

　　現有10種低功率操作模式可供選擇，使得設計人員能夠極精確地控制系統功耗。其中包括多個(gè)低功耗模式(50uA/MHz 的低功耗運行模式)，它們最多可將功耗降低95%，并同時(shí)繼續保留Cortex-M0+ 的全部處理功能。這些模式還可使MCU能夠從省電狀態(tài)快速喚醒，待處理完數據后迅速返回休眠模式，從而延長(cháng)應用程序的電池壽命。這些優(yōu)勢都將在飛思卡爾技術(shù)論壇上通過(guò)Kinetis L系列 能效模塊一一進(jìn)行演示。在飛思卡爾技術(shù)論壇中國站的展示中，還會(huì )按照CoreMark 基準測試分析將Kinetis L系列的能效的特點(diǎn)與飛思卡爾競爭對手的解決方案進(jìn)行對比。

　　Kinetis L系列MCU提供多個(gè)低功耗智能外設，即使在MCU處于深度休眠模式時(shí)也能維護正常功能，因此可實(shí)現少消耗多工作。DMA控制器、計數器、定時(shí)器、通信接口、ADC、比較器都能夠在不占用CPU 的情況下做出自己的決策。傳統的MCU必須激活主時(shí)鐘和處理器內核才能執行任務(wù)，即使是執行瑣碎的任務(wù)，如發(fā)送或接收數據、捕捉或生成波形或模擬信號采樣時(shí)也是如此。Kinetis L系列外設不需占用內核或主要系統就能執行這些功能，從而大大降低能耗并延長(cháng)電池壽命。