恩智浦推出新型汽車(chē)級TrenchMOS器件
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恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (納斯達克：NXPI)日前宣布推出全新汽車(chē)級功率MOSFET器件系列，該系列采用恩智浦的Trench 6技術(shù)，具有極低導通電阻(RDSon)、極高的開(kāi)關(guān)性能以及出色的品質(zhì)和可靠性。恩智浦新型汽車(chē)級MOSFET已取得AEC-Q101認證，成功通過(guò)了175?C高溫下超過(guò)1,600小時(shí)的延長(cháng)壽命測試(性能遠超Q101標準要求)，同時(shí)具有極低PPM 水平。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/133143.htm恩智浦這一全新車(chē)用 MOSFET系列中的首批產(chǎn)品將采用D2PAK封裝，電壓級分別為30V、40V、60V、80V和100V，全部具有出色的導通電阻(RDSon)性能。未來(lái)的Trench 6器件將會(huì )采用其他類(lèi)型車(chē)用封裝形式，包括恩智浦高可靠性、高性能的Power-SO8 LFPAK56封裝，以此作為產(chǎn)品組合的重要擴展形式，為用戶(hù)提供全面的應用靈活性。該系列幾乎覆蓋所有汽車(chē)應用領(lǐng)域，從簡(jiǎn)單的車(chē)燈照明到精密復雜的傳動(dòng)、車(chē)身及底盤(pán)等各系統的功率控制。
Trench 6將在前代TrenchMOS器件的基礎上進(jìn)一步提升開(kāi)關(guān)性能，可在給定導通電阻(RDSon)條件下實(shí)現超低QGD，因此是汽車(chē)DC-DC開(kāi)關(guān)應用的理想選擇。恩智浦的汽車(chē)級功率MOSFET器件還為各類(lèi)產(chǎn)品帶來(lái)真正的邏輯電平變體，這是一項將基準導通電阻性能與閾值電壓容限相結合的重要功能，可確保MOSFET器件在高溫下的正?？刂?。
恩智浦半導體產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理Ian Kennedy表示，“我們的Trench 6汽車(chē)級功率MOSFET器件可以為車(chē)內幾乎每個(gè)MOSFET插口提供經(jīng)過(guò)優(yōu)化的、可靠性能極高的解決方案。廣泛嚴格的測試表明，Trench 6的構架極其簡(jiǎn)單，且在近兩年的標準MOSFET市場(chǎng)業(yè)績(jì)驕人，一定可以滿(mǎn)足延長(cháng)汽車(chē)壽命所需的品質(zhì)和可靠性要求。”
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