Vishay榮獲2012中國年度電子成就獎

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR 功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉換器類(lèi)別的2012中國年度電子成就獎。

　　中國電子成就獎的功率器件/電壓轉換器產(chǎn)品年度獎項授予在設計和技術(shù)上有突出優(yōu)點(diǎn)，為工程師提供了新的強大功能，能夠大大節省時(shí)間、成本、占用空間等資源的產(chǎn)品。此外，該獎項頒發(fā)給將會(huì )在中國大陸地區產(chǎn)生重要影響的產(chǎn)品。

　　SiZ710DT是首款在6mm x 3.7mm的PowerPAIR封裝中采用TrenchFET Gen III技術(shù)的非對稱(chēng)雙邊TrenchFET 功率MOSFET，可用于筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務(wù)器和游戲機中的系統電源、POL、低電流DC/DC和同步降壓應用。器件的導通電阻比前一代MOSFET低43%，同時(shí)具有更高的最大電流并能提高效率。

　　SiZ710DT具有此類(lèi)器件中最低的導通電阻，在小尺寸外形內集成了低邊和高邊MOSFET，比DC/DC轉換器中由兩個(gè)分立器件組成的解決方案能節省很多空間。低邊的溝道2 MOSFET使用了針對非對稱(chēng)結構的優(yōu)化空間布局，在10V和4.5V下的導通電阻為3.3m?和4.3m?，高邊溝道1 MOSFET在10V和4.5V下的導通電阻為6.8m?和9.0m?。

　　Vishay的中國及香港區高級銷(xiāo)售總監Eric Lo代表Vishay領(lǐng)取了該獎項。