Ramtron推出最低功耗非易失性存儲器FM25P16

　　世界領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱(chēng)Ramtron) 宣布推出世界上最低功耗的非易失性存儲器。該16 kb器件的型號為FM25P16，是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲器，為對功耗敏感的系統設計開(kāi)創(chuàng )了全新的機遇。FM25P16是Ramtron低功耗存儲器系列中的首個(gè)產(chǎn)品，其能耗僅為EEPROM 器件的千分之一，并具有快速讀/寫(xiě)特性和幾無(wú)乎無(wú)限次的耐用性。

　　Ramtron市場(chǎng)推廣副總裁Scott Emley表示：“非易失性F-RAM存儲器的快速寫(xiě)入能力與創(chuàng )新性IC設計相結合，讓我們可以實(shí)現迄今為止最低功耗的非易失性存儲器，典型主動(dòng)電流只有約3微安。通過(guò)采用Ramtron的低功耗F-RAM存儲器，對功耗敏感的應用如無(wú)線(xiàn)傳感器節點(diǎn)、遠程儀表、保健產(chǎn)品以及新興的能量收集應用等，就能夠更頻繁地寫(xiě)入數量級的數據，并同時(shí)降低系統功耗。”

　　Ramtron 低功耗存儲器的優(yōu)點(diǎn)隨系統寫(xiě)入數據的次數更加頻繁而大大增加，與串口EEPROM不同，FM25P16能夠以總線(xiàn)速率執行寫(xiě)入操作而無(wú)寫(xiě)入延遲。這些能力使得FM25P16適用于同時(shí)要求極低功耗與頻繁或快速寫(xiě)入特性的非易失性存儲器應用。

　　關(guān)于FM25P16 低功耗存儲器

　　FM25P16采用先進(jìn)的鐵電工藝，獲得達到100萬(wàn)億 (1e14) 讀/寫(xiě)次數的幾乎無(wú)限的耐用性，且數據能夠可靠地保存10年。FM25P16采用快速串行外設接口(SPI)，以1MHz頻率的全速總線(xiàn)速率運作。

　　特性

　　- 16Kb 鐵電非易失性RAM，采用2,044 x 8位結構

　　- 無(wú)限的讀/寫(xiě)次數

　　- 數據保存10年

　　- 無(wú)延遲 (NoDelay) 寫(xiě)入

　　超低功耗運作

　　- 1.8 至 3.6V 運作電壓

　　- 3.2 μA (典型) 有效電流 100 kHz

　　- 1.2 μA (典型) 待機電流

　　串行外設接口 - SPI

　　- 頻率高達1 MHz

　　- SPI 模式 0 & 3

　　工業(yè)標準配置

　　- 工業(yè)溫度范圍為 -40°C至 +85°C

　　- “綠色”/RoHS標準8腳 SOIC封裝