研究顯示智能手機性能瓶頸在于閃存而非網(wǎng)絡(luò )

　　佐治亞理工學(xué)院和 NEC 合作的一項研究顯示，盡管大部分專(zhuān)家和普通用戶(hù)都認為CPU和糟糕的無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )是智能手機性能問(wèn)題的主要原因， 但事實(shí)上對于大部分現代智能手機, 存儲設備速度的落后才是手機性能低下的罪魁禍首，糟糕的閃存而非CPU 速度或網(wǎng)絡(luò )連接導致了瀏覽網(wǎng)頁(yè)和閱讀文檔時(shí)的手機卡頓。

　　在對數款銷(xiāo)量最好的 16GB 存儲卡的測試中，研究人員使用了最常見(jiàn)的幾種安卓手機, 結果發(fā)現在大部分手機上 NAND 閃存會(huì )導致移動(dòng)應用的性能下降兩到三倍，唯一例外是金士頓的嵌入式存儲卡 - 它導致的性能下降最高達到 20 倍。

　　研究者指出，在當今的智能手機市場(chǎng)上不論是不斷更新的高端單核甚至雙核 CPU， 還是運營(yíng)商的無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )擁有的容量都跟上了用戶(hù)需求的前進(jìn)速度，但只有閃存的帶寬長(cháng)時(shí)間一直停留在一個(gè)水平上，沒(méi)有隨著(zhù)時(shí)間有任何明顯進(jìn)步。閃存性能不佳不僅會(huì )導致性能問(wèn)題 - 在等待的過(guò)程中手機也會(huì )多消耗電池電量, 影響整體續航時(shí)間。

　　但糟糕的性能也不僅是存儲器廠(chǎng)商的問(wèn)題: 研究也發(fā)現性能的問(wèn)題的根源是許多應用程序需要進(jìn)行大量隨機輸入輸出操作, 而對于 NAND 閃存來(lái)說(shuō)隨機讀寫(xiě)的性能會(huì )比順序讀寫(xiě)低數倍之多. 因此除了選擇高性能的閃存外, 改變程序使用閃存的方式也會(huì )對提高性能有很大幫助.

　　除此之外, 對于必須進(jìn)行隨機寫(xiě)入的程序, 研究人員提出可以使用一塊小容量的相變內存存儲對性能至關(guān)重要的程序和數據. 這塊緩存可以提供給需要大量隨機讀寫(xiě)的數據庫軟件如 SQLite 使用. 研究者也分析了 SQLite 的文件系統讀寫(xiě)代碼, 并發(fā)現做出一些改進(jìn)便可以有效提高 SQLite 在閃存上的性能.