IMEC利用CMOS工藝制程GaN MISHEMTs

　　歐洲微電子研究中心(Interuniversity Microelectronics Centre。即IMEC)與其合作伙伴共同開(kāi)發(fā)了在200毫米硅芯片上生長(cháng)GaN/AlGaN的技術(shù)。

　　借助這項新技術(shù)，GaN MISHEMTs( metal-insulator semiconductor high-electron mobility transistors，無(wú)金屬高電子遷移率晶體管)能夠嚴格按照CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金屬氧化物半導體)的污染控制要求在工藝線(xiàn)上進(jìn)行生產(chǎn)(不再需要加入金這種貴金屬)，進(jìn)而能夠在200mm硅襯底上大批量生產(chǎn)高質(zhì)量的氮化鎵產(chǎn)品。

　　IMEC介紹了該技術(shù)可實(shí)現大尺寸生產(chǎn)和兼容性好的優(yōu)勢。氮化鎵是一種極具潛力能替代硅元件的新一代功率器件。IMEC使用Applied Materials公司的MOCVD最近成功地在200毫米硅芯片上生產(chǎn)出表面無(wú)裂紋并且彎曲度小于50微米的氮化鎵硅芯片是一個(gè)重要的里程碑，因為生產(chǎn)大尺寸芯片對降低成本效果顯著(zhù)。

　　同時(shí)，IMEC的新技術(shù)展示了使用標準CMOS工藝生產(chǎn)GaN MISHEMTs，并驗證了所有的設備僅僅只要求在軟件和硬件做微小的調整即可。

　　通常，金這種貴金屬被用于氮化鎵產(chǎn)品的電路連接和門(mén)電路結構，但它使氮化鎵的加工與CMOS工藝不兼容。而IMEC基于無(wú)金的電路連接系統，和無(wú)金的金屬絕緣半導體(MIS)門(mén)結構解決了兼容問(wèn)題。這種MISHEMT設計還能有效降低傳統HEMTs(高電子遷移率晶體管)的高漏電問(wèn)題。