Rambus新技術(shù)：0.5納秒極速內存開(kāi)關(guān)

　　Rambus聲名狼藉，不過(guò)在技術(shù)方面的確是有自己的一套。在東京召開(kāi)的2011年超大規模集成電路討論會(huì )上，Rambus就宣布了一種突破性的快速加電、低功耗時(shí)鐘技術(shù)，有望為內存設備帶來(lái)全新的面貌。配合40nm低功耗CMOS工藝，這種新技術(shù)能夠讓內存在0.5納秒的時(shí)間內完成從零功耗待機狀態(tài)到每個(gè)差分鏈接5+Gbps高速數據傳輸工作狀態(tài)的轉換，同時(shí)運行功耗僅僅2.4mW/Gb/s，也就是說(shuō)全速工作的時(shí)候每秒也不過(guò)12mW。

　　為了改進(jìn)服務(wù)器和移動(dòng)系統的能效，人們一直在尋求降低內存子系統功耗的方法。服務(wù)器應用中面臨的主要挑戰是需要快速切入和切出最低功耗狀態(tài)，而移動(dòng)系統雖然支持多種電源狀態(tài)，但是低功耗運行通常需要復雜的電源狀態(tài)電路來(lái)配合完成。

　　Rambus聲稱(chēng)，他們研發(fā)的新技術(shù)能夠避免這些弊端，實(shí)現內存子系統極快速地開(kāi)關(guān)，而且可與SoC與內存界面、SoC與SoC連接相整合，從而縮短訪(fǎng)問(wèn)延遲、簡(jiǎn)化系統設計、降低整體系統功耗。