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內存開(kāi)關(guān)
內存開(kāi)關(guān) 文章 進(jìn)入內存開(kāi)關(guān)技術(shù)社區
Rambus新技術(shù)：0.5納秒極速內存開(kāi)關(guān)
- Rambus聲名狼藉，不過(guò)在技術(shù)方面的確是有自己的一套。在東京召開(kāi)的2011年超大規模集成電路討論會(huì )上，Rambus就宣布了一種突破性的快速加電、低功耗時(shí)鐘技術(shù)，有望為內存設備帶來(lái)全新的面貌。配合40nm低功耗CMOS工藝，這種新技術(shù)能夠讓內存在0.5納秒的時(shí)間內完成從零功耗待機狀態(tài)到每個(gè)差分鏈接5+Gbps高速數據傳輸工作狀態(tài)的轉換，同時(shí)運行功耗僅僅2.4mW/Gb/s，也就是說(shuō)全速工作的時(shí)候每秒也不過(guò)12mW。
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內存開(kāi)關(guān)介紹
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