韓存儲器芯片微細制程比重占優(yōu)勢

　　據韓國媒體報道，韓國半導體業(yè)者在衡量存儲器芯片業(yè)者競爭力高低的微細制程比重大占優(yōu)勢，維持在全球DRAM市場(chǎng)的主導權，尤其40納米等級微細制程擴大，使韓國企業(yè)市占率隨之擴大，在2011年第1季寫(xiě)下不錯成績(jì)，其它DRAM業(yè)者因轉換制程時(shí)機較晚，第1季營(yíng)收多不理想。

　　據報道，三星電子(SAMSung ElectrONics)和海力士(Hynix)等韓國DRAM半導體業(yè)者40納米等級制程比重超過(guò)50%以上。而美國美光(Micron)、日本爾必達(Elpida)、臺廠(chǎng)南亞等競爭業(yè)者40納米等級制程比重未滿(mǎn)20~40%，華亞和力晶等比重則停留在約10%。

　　最早轉換微細制程的三星將50納米等級制程減少21%，并將40納米制程大幅提升至75%。且三星也是DRAM業(yè)界中唯一將制程擴大到30納米等級的業(yè)者，比重占4%。

　　海力士則緊跟在三星之后。海力士的60納米制程比重占1%、50納米制程比重占34%、40納米制程占65%等，其中以40納米制程占比重最高。

　　美光、爾必達、南亞等競爭業(yè)者仍以50納米制程比重較高，美光50納米制程比重占72%，南亞則接近70%。爾必達40納米制程比重占41%，雖然整體來(lái)說(shuō)40納米制程占比最高，但60納米和50納米制程合計占比達60%，比重過(guò)半，與韓國業(yè)者相比仍有很大差異。

　　韓國業(yè)者逐漸將生產(chǎn)主力轉換到40納米制程，制程轉換已大部分整理完成，美光則還有1%采70納米制程，7%為60納米制程，爾必達也還有25%使用60奈米制程。

　　韓國相關(guān)業(yè)者表示，爾必達宣布2011年7月將會(huì )投入20納米制程量產(chǎn)，但目前轉換到40納米制程的比重仍偏低，甚至無(wú)法進(jìn)入30納米制程，較難立即轉換到20納米制程。韓國業(yè)者也認為，60納米制程比重至今仍達4分之1，可能是轉換新制程上遭遇瓶頸的間接性證據。

　　除此之外，臺廠(chǎng)華亞科和力晶40納米制程比重各為13%和11%，在轉換微細制程方面速度仍偏緩。