2012年光刻掩膜板市場(chǎng)預計可達32億美元

　　SEMI研究報告最新研究報告顯示，2010年全球半導體光刻掩膜板市場(chǎng)達到了30億元規模，預估2012年這一數字可達32億美元。由于有2008和2009連續兩年的簽約保障下，半導體光刻掩膜板市場(chǎng)在2010年增長(cháng)了10%，而未來(lái)兩年光刻掩膜板市場(chǎng)則預計將有7%和2%的成長(cháng)。

　　驅動(dòng)此一市場(chǎng)成長(cháng)的關(guān)鍵主要來(lái)自于先進(jìn)技術(shù)持續進(jìn)行微縮(小于65納米)，以及亞太地區制造業(yè)的蓬勃發(fā)展。以專(zhuān)有光刻掩膜板(captive photomask)廠(chǎng)商而言，在2006年其僅占光刻掩膜板市場(chǎng)30%的比例，但在2010年，該數字已成長(cháng)至40%。傳統的光學(xué)光刻技術(shù)將持續推動(dòng)下一代光刻技術(shù)方案的推陳出新，包括超紫外光(EUV)、無(wú)光刻掩膜板光刻、和納米壓印(nano-imprint)。而對于45納米制程節點(diǎn)而言，浸潤式光刻(immersion lithography)可說(shuō)是其首選技術(shù)。另外針對sub 45納米制程節點(diǎn)，透過(guò)顯影光源優(yōu)化(Source Mask Optimization，SMO)的應用將可擴展單次曝光程序，而雙重曝光(double patterning)技術(shù)也被視為重要方案。

　　為了協(xié)助將光學(xué)光刻技術(shù)延伸至22納米節點(diǎn)尺寸，除了雙重曝光和SMO之外，設備制造商還打算利用運算光刻

　　(computational lithography)的技術(shù)。而一再延宕、遲遲不見(jiàn)芳蹤的EUV技術(shù)，則至少要等到16納米節點(diǎn)后才有可能出現，而且屆時(shí)此一革命性的新技術(shù)是否會(huì )被廣泛采用，還得取決于成本考慮，以及能否形成新的供應鏈。然而，在一些關(guān)鍵領(lǐng)域中，譬如檢測設備、光源功率(source power)、光刻掩膜板和光刻膠(resist)等，EUV還是有所進(jìn)展的。雖然EUV技術(shù)領(lǐng)域已逐步取得進(jìn)展，但卻也有越來(lái)越多的論調認為應該將EUV技術(shù)作為協(xié)助193納米浸潤式光刻進(jìn)一步微縮的補助手段，以突破后者在物理特性上的局限。

　　而對于大批量光刻掩膜板(merchant photomask)供貨商來(lái)說(shuō)，經(jīng)濟方面的不確定性因素遠比技術(shù)問(wèn)題更讓人頭痛，隨著(zhù) 線(xiàn)寬必須不斷縮小的趨勢下，廠(chǎng)商面臨諸多艱巨的挑戰，更多先進(jìn)的光刻掩膜板工具和材料必須應運而生，但卻僅有部份的客戶(hù)會(huì )轉移至更小尺寸的產(chǎn)品，而且似乎對于專(zhuān)有光刻掩膜板廠(chǎng)商的依賴(lài)也日益加深，因此批發(fā)式光刻掩膜板產(chǎn)業(yè)必須在一個(gè)正在萎縮的市場(chǎng)上找到它的平衡點(diǎn)，既能進(jìn)行技術(shù)升級發(fā)展也能兼顧資本成本。

　　SEMI最近發(fā)表了《Photomask Characterization Summary》，對2010年的光刻掩膜板市場(chǎng)提供詳細的分析，并以全球七個(gè)主要地區，包括北美、日本、歐洲、臺灣、韓國、中國、以及其它地區進(jìn)行市場(chǎng)分析，該報告還囊括每一地區從2005至2012年間的相關(guān)數據數據。