Microsemi發(fā)布可再生能源應用產(chǎn)品

　　美高森美公司(Microsemi) 發(fā)布可再生能源應用的產(chǎn)品，包括SmartFusion和IGLOO FPGA;模擬及混合信號器件如旁路二極管/開(kāi)關(guān)、MOSFET、FRED和IGBT;DC-DC轉換器，以及脈寬調制(PWM)模塊。這一種類(lèi)豐富的產(chǎn)品系列能夠在整個(gè)范圍的光伏(PV)應用中實(shí)現高效、可靠且具有成本效益的解決方案，包括獲取電能、功率管理、功率開(kāi)關(guān)和功率監控。

　　由于光伏行業(yè)設計人員必須積極滿(mǎn)足不斷創(chuàng )新的需求，同時(shí)應對太陽(yáng)能行業(yè)的成本和性能壓力，所以采用最新技術(shù)是至關(guān)重要的。美高森美擁有數十年提供高可靠性的創(chuàng )新性器件的豐富經(jīng)驗，而且具備較長(cháng)的產(chǎn)品供應期。后續的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)焦點(diǎn)是提高靈活性、安全性和成本效益，并為不斷擴大的光伏應用設計社群提供全部所需部件和支持，從而將其設計快速帶入市場(chǎng)。

　　-太陽(yáng)能旁路二極管用于獲取電能

　　LX2400 IDEAL太陽(yáng)能旁路器件采用Microsemi專(zhuān)利CoolRUN技術(shù)，在光伏模塊應用中提供一個(gè)旁路通道。該器件具有業(yè)界最低的正向電壓降，可在工作期間實(shí)現極低的發(fā)熱和溫升。LX2400具有同級最佳的可靠性和穩健性，用于需要經(jīng)由模塊接線(xiàn)盒獲得10A或更高電流的應用。

　　Microsemi新型肖特基勢壘光伏旁路二極管是世界上最薄的型款，其厚度僅為0.74 mm，可讓客戶(hù)將其集成在玻璃下面，省去接線(xiàn)盒。這超薄尺寸旁路二極管也可以用于縮減接線(xiàn)盒尺寸。SFDS系列10A二極管是專(zhuān)為太陽(yáng)能面板而設計的，采用獨特的靈活的銅質(zhì)引腳，具有經(jīng)過(guò)衛星應用驗證的高可靠性。

　　美高森美除了提供上述的獨特封裝之外，還提供采用軸向、表面安裝和通孔安裝的廣泛的肖特基旁路二極管，其標準電流范圍是10A至18A，電壓范圍為20 V至45 V，并同時(shí)提供設計和構建選項，提供電流高達60 A和電壓高達200V的定制器件。

　　-SmartFusion和IGLOO FPGA用于功率管理和控制

　　Microsemi SmartFusion混合信號FPGA和IGLOO低功耗FPGA采用基于快閃技術(shù)的架構，是幫助逆變器設計人員實(shí)現效率最大化，以及在較小的占位面積中集成板級功能的理想選擇。功能和算法包括更多數量的PWM狀態(tài)機，最大功率點(diǎn)追蹤(MPPT)和功率因數校正(PFC)等，可在嵌入式32位ARM Cortex-M3或邏輯門(mén)之內進(jìn)行劃分，以適合各種設計需求。

　　-IGBT, MOSFET, FRED和DC-DC轉換器用于功率監控

　　新型600 V CoolMOS C6器件采用第五代高電壓超級結技術(shù)，實(shí)現極低的傳導和開(kāi)關(guān)損耗，可實(shí)現具有更高效率和功率密度水平的開(kāi)關(guān)系統設計。

　　由于傳導損耗則在總體系統損耗方面占據主導地位，新型MOS 8 IGBT已經(jīng)針對低工作頻率(10 KHz — 30 KHz)而優(yōu)化。MOS 8 PT IGBT產(chǎn)品系列則在2.0 V (600 VBR(CES)) 和2.5 V (900 VBR(CES))下提供低傳導損耗特性。

　　-FPGA用于功率監控

　　SmartFusion智能混合信號FPGA在單一IC平臺上集成了模擬前端、嵌入式ARM Cortex-M3處理器和可編程邏輯資源。這一靈活性為設計人員提供了開(kāi)發(fā)低功耗的可適配平臺的能力，能夠精確地監控實(shí)時(shí)負載數據，同時(shí)滿(mǎn)足多種安全連接性協(xié)議的要求。