安森美半導體在下一代SoC中應用高壓標準單元技術(shù)

　　基于這些因素，從事這類(lèi)項目的任何人都應當與在高壓應用方面擁有豐富經(jīng)驗、并能夠提供針對此目的優(yōu)化的創(chuàng )新型工藝技術(shù)的半導體供應商合作。不采取這種舉措可能產(chǎn)生的結果是生產(chǎn)的系統會(huì )不符合性能及長(cháng)遠性方面的目標。

　　安森美半導體開(kāi)發(fā)的第三代I3TXX智能功率技術(shù)是一種使用0.35 µm BCD技術(shù)的高壓平臺，針對的是前沿的汽車(chē)、軍事、醫療及工業(yè)應用要求的高壓混合信號系統設計。這平臺包含3.3 V門(mén)氧化物，且這平臺的某些技術(shù)變異版本中還具備雙門(mén)18 V能力。這平臺還提供不同的隔離機制，包括P溝道沉降(P-sinker)、深阱及工作電壓達62 V的深溝槽隔離。這技術(shù)系列提供豐富選擇的基本IP。結溫度范圍為-40℃至150℃，最高可承受175℃。

　　安森美半導體的ONC18工藝是一種低成本、符合業(yè)界標準的0.18 µm CMOS技術(shù)，現在支持高達100 V電壓工作。這具有完整特性的工藝包含1.8 V/3.3 V雙門(mén)I/O、額定值及大容值的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容、電阻及六層金屬構造。這工藝的結溫度范圍為-55℃至125℃, 最高可承受150℃。ONC18工藝非常適合用于開(kāi)發(fā)結合了數字與混合信號功能的低功率、高集成度電路，能夠創(chuàng )建包含高達1,000萬(wàn)邏輯門(mén)的ASIC。它能支持高達1.1 Mb同步單端口及512 kb雙端口SRAM、或1.1 Mb高密度、低泄漏過(guò)孔(VIA)可編程只讀存儲器(ROM)的存儲器能力。還提供EEPROM用于模擬微調或高達8kB的程序或數據存儲器。

　　通過(guò)使用基于這類(lèi)模塊化技術(shù)平臺的方法，有可能充分利用原打算用于較低壓工藝的現有IP，因而將工程設計負擔減至最低。這表示能在同一塊芯片上應用高壓及低功率功能，而其適宜性獲得了證實(shí)。

　　本文介紹的高壓標準單元方法使工程團隊能夠降低使用較高電壓的設計的相關(guān)風(fēng)險。因此，所建議設計的可靠性、性能基準及特性范圍將符合期望，并證實(shí)所作投資的恰當性。